Ромака, В. А.
Особливості легування інтерметалічного напівпровідника IBpD-TiCoSb донорною домішкою Cu. 1. Розрахунок електронної структури [Text] !Otitkn.pft: FILE NOT FOUND! !oizd.pft: FILE NOT FOUND! !ospec.pft: FILE NOT FOUND! !oistaspk_H.pft: FILE NOT FOUND!

Рубрикатор НБУВ:
 В379.271 
Тематичні рубрики:
 Електричні властивості 


Шифр журнала:

Анотація: Розраховано зонну структуру та розподіл електронної густини (DOS) інтерметалічного напівпровідника TiCoSb, легованого донорною домішкою (ДД) шляхом заміщення атомів Co на Cu. Встановлено залежність розташування рівня Фермі від концентрації ДД, проаналізовано можливі механізми електропровідності для різних концентрацій домішки. !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND!

Дод. точки доступу:
Стадник, Ю. В.; Фрушарт, Д. ; Тобола, Я. ; Гореленко, Ю. К.; Ромака, Л. П.; Чекурін, В. Ф.; Горинь, А. М.

Видання зберігається у :