Дружинін, А. О.
Поведінка електропровідності ниткоподібних кристалів Si - Ge в полях ефективного зовнішнього впливу [Text] !Otitkn.pft: FILE NOT FOUND! !oizd.pft: FILE NOT FOUND! !ospec.pft: FILE NOT FOUND! !oistaspk_H.pft: FILE NOT FOUND!

Рубрикатор НБУВ:
Тематичні рубрики:


Шифр журнала:

Анотація: Досліджено вплив деформації та магнітного поля на поведінку електропровідності ниткоподібних кристалів твердого розчину SiV1-xDGeVxD (x = 0,01 - 0,05) з концентрацією бору ($E 1~-~4)~ times ~10 sup 18~ roman см sup -3 за низьких температур 4,2 - 50 К. У кристалах встановлено негативний магнітоопір та максимум коефіцієнта тензочутливості за температур ITD = 15 - 18 К. Виявлені ефекти пояснюються особливостями стрибкової провідності по делокалізованих станах верхньої зони Хаббарда. !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND!

Дод. точки доступу:
Островський, І. П.; Лях-Кагуй, Н. С.; Когут, Ю. Р.

Видання зберігається у :