|
|
Fedosov, А. V.
Influence of illumination on parameter change of anisotropy of mobility in InD-Ge monocrystals with heterogeneous distribution of doping impurity [Text] !Otitkn.pft: FILE NOT FOUND! !oizd.pft: FILE NOT FOUND! !ospec.pft: FILE NOT FOUND! !oistaspk_H.pft: FILE NOT FOUND!
Переклад назви: Вплив освітлення на зміну параметра анізотропії рухливості в монокристалах n-Ge з неоднорідним розподілом легуючої домішкиРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Шифр журнала:
Анотація: Досліджено вплив освітлюванння різної інтенсивності на зміну параметра анізотропії рухливості $E K~ over mu sub {//}~=~m sub {//} over m sub symbol 94~cdot~{symbol ... tau sub symbol 94 symbol ъ} over {symbol ... tau sub {//} symbol ъ} в $E gamma-опромінених вибраною дозою зразках InD-Ge з неоднорідним розподілом легуючої домішки в об'ємі кристала. На підставі експериментальних і теоретичних розрахунків показано, що в $E gamma-опроміненому InD-Ge поздовжня компонента рухливості $E mu sub {//} в окремо взятому ізоенергетичному еліпсоїді практично не залежить від інтенсивності освітлювання (ІО). Істотна зміна поперечної компоненти рухливості $E mu sub symbol 94 у разі збільшення ІО визначається зміною параметра анізотропії часів релаксації $E K sub tau. !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND!
Дод. точки доступу:
Zakharchuk, D. А.; Fedosov, S. A.; Semenchenko, R. N.
Видання зберігається у :
|
|