|
|
Shakhovtsova, S. I.
Mobility of current carriers in semiconductors with large-scale structural defects [Text] !Otitkn.pft: FILE NOT FOUND! !oizd.pft: FILE NOT FOUND! !ospec.pft: FILE NOT FOUND! !oistaspk_H.pft: FILE NOT FOUND!
Переклад назви: Рухливість носіїв струму в напівпровідниках з крупномасштабними дефектами структуриРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Шифр журнала:
Анотація: У дифузійному наближенні розглянуто вплив на рухливість носіїв струму недосконалостей структури кристалів, характерні просторові розміри яких перевищують довжину вільного пробігу носіїв $E lambda. Зміну відносної рухливості $E DELTA mu у розглянутих наближеннях виражено через середньоквадратичну флуктуацію концентрації носіїв струму $E epsilon sub 2, яка визначається природою недосконалостей. Показано, що омічна та холлівська рухливості у напівпровідниках зі статистичними неоднорідностями є різними функціями величини $E epsilon sub 2. З використанням конкретних моделей неоднорідностей різного походження у зразках, однорідних у середньому, пояснено температурні залежності $E DELTA mu і оцінено параметри ділянок недосконалості. Побудовано модель взаємодії точкових дефектів із кластерами гадолінію в IpD-Si. !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND!
Дод. точки доступу:
Shpinar, L. I.; Yaskovets, I. I.
Видання зберігається у :
|
|