 Давидюк, Г. Є. Рубрикатор НБУВ: Шифр журнала: Анотація: Досліджено спеціально нелеговані і леговані міддю монокристали CdS. Опромінення зразків електронами з IED = 1,2 МеВ (дозою Ф = $E 2~cdot~10 sup 17~roman {ел "/" см sup 2}) веде до утворення рухливих за кімнатної температури дефектів, а також розпаду вихідних донорно-акцепторних асоціатів. Більш радіаційно стійкими виявилися монокристали CdS. Первинні радіаційні дефекти в CdS:Cu - зразках (NVCuD = $E 10 sup 18~roman см sup -3) утворюють після опромінення вторинні дефекти, які відіграють роль швидких центрів рекомбінації і відповідальні за домішкову фотопровідність. При зберіганні опромінених кристалів в їх приповерхневій області формуються парамагнітні центри. Зроблено висновки про природу вторинних радіаційних дефектів, відповідальних за фотоактивні і парамагнітні центри в опромінених зразках. !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND! Дод. точки доступу: Божко, В. В.; Мирончук, Г. Л. Видання зберігається у : |