 Будзуляк, І. М. Рубрикатор НБУВ: Шифр журнала: Анотація: Досліджено вплив імпульсного лазерного опромінення на структурну досконалість бінарних напівпровідників PbTe, CdSb, CdTe. Показано, що структурні перетворення відбуваються стрибком за відповідних значень густини енергії в імпульсі, а різноманітність перетворень визначається властивостями напівпровідників, зокрема, в PbTe різке зростання густини дислокацій на 1,5 - 2 порядки має місце за густини енергії випромінювання в 3 Дж/$E roman см sup 2, регулярна сітка тріщин формується за 7 Дж/$E roman см sup 2, а відокремлення тонких шарів матеріалу за 9 Дж/$E roman см sup 2. В монокристалах CdSb такі шари утворюються за густини енергії 11 Дж/$E roman см sup 2, у СdTe даний ефект не проявляється. В монокристалах СdTe і PbTe зафіксовано інтенсивний рух дислокацій, обумовлений лазерним опроміненням; у СdTe дислокації рухаються до включень і макротріщин, у цьому випадку біля тріщин густина дислокацій є мінімальною. !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND! Видання зберігається у : |