| РА324260 Рубрикатор НБУВ: Анотація: Дослідженням високотемпературних електричних характеристик, низькотемпературних електричних вимірювань ефекту Хола та спектрів фотолюмінесценції вивчено природу точкових дефектів у CdTe$Eroman { In (Ca, Tl) }. На підставі експериментальних результатів отримано новий набір (CH-5) оптимізованих констант дефектоутворення в CdTe у рамках теорії Каргера. Розраховано константи рівноваги квазіхімічних реакцій утворення твердих розчинів заміщення атомів In та Ga у вузлах кадмію CdTe, які мають вигляд: $Eroman {K sub In exp (-0,72 eB/kT); $Eroman {K sub Ga exp (-0,95 eB/kT). Побудовано комп'ютерні діаграми залежності спектру дефектів від активності індію (галію) з урахуванням KVInD(KVGaD), що добре узгоджуються з експериментом. Складена на основі набору CH-5 комп'ютерна програма моделювання дефектної структури CdTe дозволяє прогнозувати властивості матеріалу за умов високотемпературної рівноваги точкових дефектів, після умовного гартування, а також після відігріву матераілу до кімнатної температури. !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND! Файл: 03koolmp.zip - 0Перейти: /ard/2003/ Видання зберігається у : |