|
РА324260![](/cgi-bin/irbis_nbuv/cgiirbis_64.exe?C21COM=2&I21DBN=REF_PRINT&P21DBN=REF&Z21ID=&Image_file_name=IMG/03koolmp.zip) Коров'янко, О. О. НАН України. Ін-т пробл. матеріалознавства ім. І.М.Францевича. Квазіхімічні реакції між дефектами в CdTe, легованому металами III-А підгрупи [Text] !Otitkn.pft: FILE NOT FOUND! !oizd.pft: FILE NOT FOUND! !ospec.pft: FILE NOT FOUND! !ovixd.pft: FILE NOT FOUND! !ofizxar_H.pft: FILE NOT FOUND! !Oprim_H.pft: FILE NOT FOUND! !Oisbncnk_H.pft: FILE NOT FOUND! !oant_H.pft: FILE NOT FOUND! !opri451_H.pft: FILE NOT FOUND! !Opris488_H.pft: FILE NOT FOUND! Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Анотація: Дослідженням високотемпературних електричних характеристик, низькотемпературних електричних вимірювань ефекту Хола та спектрів фотолюмінесценції вивчено природу точкових дефектів у CdTe$Eroman { In (Ca, Tl) }. На підставі експериментальних результатів отримано новий набір (CH-5) оптимізованих констант дефектоутворення в CdTe у рамках теорії Каргера. Розраховано константи рівноваги квазіхімічних реакцій утворення твердих розчинів заміщення атомів In та Ga у вузлах кадмію CdTe, які мають вигляд: $Eroman {K sub In exp (-0,72 eB/kT); $Eroman {K sub Ga exp (-0,95 eB/kT). Побудовано комп'ютерні діаграми залежності спектру дефектів від активності індію (галію) з урахуванням KVInD(KVGaD), що добре узгоджуються з експериментом. Складена на основі набору CH-5 комп'ютерна програма моделювання дефектної структури CdTe дозволяє прогнозувати властивості матеріалу за умов високотемпературної рівноваги точкових дефектів, після умовного гартування, а також після відігріву матераілу до кімнатної температури. !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND! Файл: 03koolmp.zip - 0Перейти: /ard/2003/ Видання зберігається у :
|
|