РА360237 Сало, В. І. Ін-т монокристалів НАН України. Рубрикатор НБУВ: Анотація: Розроблено наукові та технологічні засади швидкісного вирощування великих кристалів, придатних для використання в мегаджоульних лазерних системах. Досліджено вплив комплексу фізико-хімічних параметрів розчинів на процеси стійкого швидкісного росту: оптичну та структурну однорідність і лазерну міцність великих кристалів KDP/DKDP. Визначено характер розподілу мікродомішок у кристалі, які призводять до виникнення внутрішніх напружень у кристалі. Обгрунтовано основні переваги розробленого методу вирощування кристалів, які полягають у використанні постійної температури кристалізації та створенні умов моносекторіального вирощування кристалів, які блокують розростання призми. Визначено гідродинамічні умови масопереносу в кристалізаторі, які забезпечують ефективне підживлення кристала. Розроблено технологію синтезу первинної сировини для швидкісного вирощування великих кристалів KDP. Визначено умови та вирощено кристали KDP у напрямку заданого кута синхронізму, що дозволяє підвищити коефіцієнт використання матеріалу до 90 %. Розроблено ефективні способи термообробки кристалів, що підвищують оптичну однорідність і лазерну міцність. Розроблено та впроваджено у виробництво технологію швидкісного вирощування кристалів KDP методом рециркуляції розчинника (температура росту $E70~-~80~ symbol Р roman C, pH - 4, швидкість вирощування до 10 мм/добу). Виявлено, що дана технологія дозволяє одержувати широкоапертурні (перерізом до $E40~ times ~40~ roman см sup 2) помножувачі частоти лазерного випромінювання й електрооптичні елементи модуляторів, параметри яких відповідають вимогам розробників потужних лазерних систем. !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND! Файл: 08svimvr.zip - 0Перейти: /ard/2008/ Видання зберігається у : |