| РА341783 Рубрикатор НБУВ: Анотація: Представлено результати дослідження дії $Egamma-радіації на параметри та характеристики приладових структур на базі гетероперходу AlGaN/GaN. За експериментальними вольт-амперними характеристиками детально праналізовано деградацію основних операційних параметрів (струмів насичення, наприги відсічки, крутизни) транзисторів з високою рухливістю носіїв заряду в каналі (HEMT), ширина якого становить від 100 до 400 мкм, а довжина затвору від 0,15 до 0,35 мкм, під впливом доз опромінення до $E2~ times ~10 sup 8 рад. Розглянуто процеси, що відбуваються під впливом радіації до загальної дози $E2~ times ~10 sup 9 рад. у контактній металізації Шотткі контактів Au - Ni - GaN та $Eroman {Au~-~ZrB sub 2 } - AlGaN/GaN за даними проведених структурних досліджень. Не дивлячись на прогнозовану високу стійкість приладів на базі матеріалів нітридної групи, встановлено значну (до 40 %) деградацію основних параметрів транзисторів та виявлено складний характер стимульованої деградації HEMT (зокрема, спостережено залежність ефектів від геометричних розмірів транзисторних структур та робочих умов). Проаналізовано фізичні причини радіаційного старіння тестових структур з урахуванням можливої релаксації механічних напружень бар'єрного шару AlGaN, а також стимульованих міжфазних реакцій та зернограничної дифузії у контактній металізації. !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND! Файл: 06bamtbg.zip - 0Перейти: /ard/2006/ Видання зберігається у : |