В341939/1
Теорія напівпровідникових сенсорів газу [Текст] !ovixdm.pft: FILE NOT FOUND! .
Ч. 1 : Фізична хімія системи газ-напівпровідник !Otitkn.pft: FILE NOT FOUND! !oizd.pft: FILE NOT FOUND! !ospec.pft: FILE NOT FOUND! !ovixd.pft: FILE NOT FOUND! !ofizxar_H.pft: FILE NOT FOUND! !Oprim_H.pft: FILE NOT FOUND! !Oisbncnk_H.pft: FILE NOT FOUND! !oant_H.pft: FILE NOT FOUND! !opri451_H.pft: FILE NOT FOUND! !Opris488_H.pft: FILE NOT FOUND!

Рубрикатор НБУВ:
 Г582 
 Г48-3 
Тематичні рубрики:


Анотація: Завдання математичного відображення фізико-хімічних процесів, що лежать в основі функціонування, наприклад, металоокисних високотемпературних сенсорів концентрації газу, вимагає для свого вирішення застосувати та узгодити між собою: теорію Шотткі, Вагнера, Крьогера та інших, яка описує статику системи "газ - бінарна сполука" в стані термодинамічної рівноваги; теорію електронних процесів на поверхні напівпровідника Ф.Ф.Волькенштейна та доповнюючі напівемпіричні енциклопедичного характеру роботи С.Р.Моррісона; теорію поверхневих нерівноважних процесів в напівпровіднику О.В.Саченка; теорію Гаррета-Браттайна, а також їх послідовників, які робили спроби екстраполяції цієї класичної праці на більш широкий клас задач традиційного курсу фізики напівпровідників. В роботі викладено варіант узагальнення перерахованих концепцій для математичного обгрунтування процесів перенесення речовини та заряду в гетерогенній системі "газ - бінарний окисел - основа", який базується на системному підході до розробки математичних моделей фізичних об'єктів. Додатково розглянуто ряд суміжних питань. !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND!

Дод. точки доступу:
Мороз, О. С.

Видання зберігається у :