РА333011 Бойчук, В. М. Прикарпат. нац. ун-т ім. В.Стефаника. Рубрикатор НБУВ: Анотація: Визначено домінуючі моделі атомних дефектів і механізмів легування та утворення твердих розчинів у системах PbTe:Ga (In, Tl), PbTe - Ga (In, Tl)Te, PbTe - $Eroman Ga sub 2 ~(In sub 2 ,~Ti sub 2 )~-~Te sub 3 }. Показано, що для PbTe:Ga на початкових етапах домінує розміщення галію у октаедричних позиціях (ОП) щільної упаковки атомів телуру з перерозподілом заряду $Eroman {Ga sup +3 ~ symbol О ~Ga sup +1 }. Зазначено, що за глибокого легування має місце утворення міжвузлового галію у тетраедричних позиціях (ТП) з тенденцією формування нової фази $Eroman {Ga sub 2 Te sub 3 }. Для PbTe:In до 1,5 ат.% In проходить заміщення катіонних вакансій основної матриці індієм. Установлено, що за умов збільшення вмісту легуючої домішки відбувається розміщення $Eroman In sup +1 у катіонній підгратці та утворення міжвузлових іонів $Eroman {In sub i sup +3 }. Виявлено, що у разі легування PbTe талієм до 0,1 ат. % Tl переважає утворення вкоріненого талію та утворення комплексів $E[ roman {V sub Te sup +2 ~-~Tl sub i sup -1 }] sup +. Доведено, що для твердих розчинів систем Pb - Ga (In, Tl) - Te домінуючими атомними дефектами є домішки в ОП й одночасне заміщення вакансій свинцю одновалентними домішками, а також вкорінення тривалентних домішок у ТП щільної упаковки атомів телуру кристалічної структури PbTe. !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND! Видання зберігається у : |