|
РА373549![](/cgi-bin/irbis_nbuv/cgiirbis_64.exe?C21COM=2&I21DBN=REF_PRINT&P21DBN=REF&Z21ID=&Image_file_name=IMG/10bpazng.zip) Більовський, П. А. Ін-т фізики НАН України. Ефекти просторового перерозподілу "гарячих" носіїв заряду в напівпровідниках і гетероструктурах [Text] !Otitkn.pft: FILE NOT FOUND! !oizd.pft: FILE NOT FOUND! !ospec.pft: FILE NOT FOUND! !ovixd.pft: FILE NOT FOUND! !ofizxar_H.pft: FILE NOT FOUND! !Oprim_H.pft: FILE NOT FOUND! !Oisbncnk_H.pft: FILE NOT FOUND! !oant_H.pft: FILE NOT FOUND! !opri451_H.pft: FILE NOT FOUND! !Opris488_H.pft: FILE NOT FOUND! Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Анотація: Досліджено процеси за умов сильної нерівноважності носіїв заряду у разі їх розігріву сильним електричним полем в об'ємних кристалах германію та гетероструктурах n-InGaAs/GaAs із квантовими ямами. Вивчено струмові нестійкості, які виникають за цього, а також утворення просторово-неоднорідних структур у вигляді струмових шнурів або високопольових доменів. Експериментально виявлено теоретично повздовжні термодифузійні автосолітони у вигляді струмових шнурів у кристалах Gе. Показано, що такі автосолітони утворюються у слабкорозігрітій плазмі з високою концентрацією носіїв. Виявлено, що в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs із квантовими ямами в латеральному електричному полі виникають статичні високопольові акустоелектричні домени. Визначено, що в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs з подвійними тунельно-зв'язаними квантовими ямами просторовий перенос електронів у гріючому електричному полі із широких квантових ям у вузькі ями призводить до різкого збільшення інтенсивності далекого інфрачервоного випромінювання електронів. !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND! Файл: 10bpazng.zip - 0Перейти: /ard/2010/ Видання зберігається у :
|
|