|
|
Вовк, Я. М.
Вплив високочастотної плазмової обробки на властивості гетероструктур (a)SiC/Ip/i-Si [Text] !Otitkn.pft: FILE NOT FOUND! !oizd.pft: FILE NOT FOUND! !ospec.pft: FILE NOT FOUND! !oistaspk_H.pft: FILE NOT FOUND! Рубрикатор НБУВ: УДК: Тематичні рубрики:
Шифр журнала:
Анотація: Уперше вивчено вплив високочастотної (ВЧ) плазмової обробки на головні електрофізичні параметри гетероструктури аморфний SiC/кристалічний Si, яка мала рекордні значення напруги пробою. Продемонстровано, що ВЧ плазмова обробка структури призводить до значної трансформації вольт-амперної характеристики гетеропереходу в області низьких температур вимірювання. Показано, що найбільший вплив плазми проявляється в області механізму стрибкової провідності за станами поблизу рівня Фермі (за умови максимальної температури плазмової обробки щільність станів на рівні Фермі збільшується майже у 18 разів). З'ясовано, що плазма призводить до зменшення висоти потенціального бар'єра для електронів на межі SiC/Ip/i-Si і значного зменшення опору Al/SiC контакту (більше, ніж утричі за максимальної температури ВЧ плазмової обробки). Обговорено механізми впливу ВЧ плазми на електрофізичні властивості гетероструктури SiC/Si. !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND!
Дод. точки доступу:
Назаров, О. М.; Лисенко, В. С.; Ткаченко, А. С.; Назарова, Т. М.
Видання зберігається у :
|
|