|
|
Бойко, Б. Т.
Вплив сполучених шарів на фотоелектричні властивості плівкових полікристалічних гетеросистем на основі телуриду кадмію [Text] !Otitkn.pft: FILE NOT FOUND! !oizd.pft: FILE NOT FOUND! !ospec.pft: FILE NOT FOUND! !oistaspk_H.pft: FILE NOT FOUND! Рубрикатор НБУВ: УДК: Тематичні рубрики:
Шифр журнала:
Анотація: Шляхом зіставлення фотоелектричних властивостей плівкових гетеросистем ITO/CdS/CdTe та ITO/CdTe досліджено вплив сполучених шарів на фотоелектричні процеси у базовому полікристалічному шарі телуриду кадмію. Показано, що ефективність фотоелектричних процесів значною мірою визначається міжфазною взаємодією CdTe/ITO або CdTe/CdS. Наявність шару сульфіду кадмію не є необхідною умовою існування сепаруючого бар'єра, але саме вона визначає ефективність фотоелектричних процесів у плівкових гетеросистемах ITO/CdS/CdTe. Інтенсифікація фотоелектричних процесів у цих гетеросистемах у порівнянні з гетеросистемами ITO/CdTe зумовлена наявністю на міжфазній поверхні CdS/CdTe варизонних прошарків твердих розчинів CdSsub; ix/i; /subTesub1 - ix/i; /sub (0 ix/i 0,2). Запропоновано простий оптичний метод визначення товщини прошарків цих твердих розчинів. !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND!
Дод. точки доступу:
Хрипунов, Г. С.; Юрченко, Г. В.
Видання зберігається у :
|
|