 Шаповалов, В. П. Рубрикатор НБУВ: Шифр журнала: Анотація: Досліджено залежність поверхневої густини мікродефектів у кремнії на межі Si - SiOsub2/sub від товщини окисної плівки у діапазоні 0,25 - 0,5 мкм. Показано, що спад розглянутої залежності, одержаної за температури окиснення 1000 °C на пластинах n-Si (111), зумовлений виникненням та ростом кластерів. Запропоновано модель, яка дозволяє розрахувати паритетну товщину окисної плівки для процесів генерації міжвузлових атомів і вакансій, яка склала величину ~ 0,35 мкм. !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND! Дод. точки доступу: Грядун, В. И. Видання зберігається у : |