|
|
Павлов, Л. Н.
Минимизация влияния паразитных структур в преобразователях DC/DC [Text] !Otitkn.pft: FILE NOT FOUND! !oizd.pft: FILE NOT FOUND! !ospec.pft: FILE NOT FOUND! !oistaspk_H.pft: FILE NOT FOUND! Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Шифр журнала:
Анотація: Исследована минимизация влияния эффекта, вызванного насыщением NPN-транзистора. Достигнуто соответствие результатов, полученными средствами компьютерного моделирования и экспериментальными исследованиями элементной базы и завершенных преобразователей DC/DC на кремниевой пластине. Показано, что для учета эффекта насыщения NPN-транзистора при моделировании преобразователей DC/DC схема электрическая должна быть дополнена моделями паразитного вертикального PNP-транзистора и горизонтального межкарманного NPN-транзистора. Для каждого паразитного компонента созданы транзисторные модели. В случае оценочных расчетов для паразитных PNP-транзисторов достаточно двух моделей со статическими коэффициентами усиления: при отсутствии вертикального коллектора $E В~, при введении вертикального коллектора $E В~. Для паразитного межкарманного NPN-транзистора необходимо создавать ряд моделей с выбором коэффициента усиления от 0,1 до 0,001 в зависимости от расстояния до тестируемого кармана. Полнота ряда определяется требуемой точностью моделирования. Подчеркнуто, что минимизация влияния паразитных структур достигается не только введением глубокого коллектора, но и топологическими решениями, отдаляющими прецизионные блоки от транзисторов с насыщением и тщательной проработкой заземляющими дорожками областей разделения карманов. !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND!
Дод. точки доступу:
Калниболотский, Ю. М.
Видання зберігається у :
|
|