|
Валах, М. Я. Фотолюмінесценція нанокристалітів Ge в SiOsub2/sub-матриці [Text] !Otitkn.pft: FILE NOT FOUND! !oizd.pft: FILE NOT FOUND! !ospec.pft: FILE NOT FOUND! !oistaspk_H.pft: FILE NOT FOUND! Рубрикатор НБУВ: УДК: Тематичні рубрики:
Шифр журнала:
Анотація: Методами фотолюмінесценції (ФЛ), комбінаційного розсіяння світла (КРС) і електронного парамагнітного резонансу (ЕПР) досліджено Si / SiOsub2/sub-структури, імплантовані іонами Gesup+/sup. Встановлено кореляцію між інтенсивністю смуг ФЛ, що виникають після імплантації, та інтенсивністю ЕПР-сигналу, зумовленого структурними дефектами в SiOsub2/sub. Із спектра КРС оцінено розміри нанокристалітів Ge, які утворюються після імплантації та термічного відпалу за температур, що перевищують iТ/i = 900 °C. Проведено порівняльний аналіз із Si / SiOsub2/sub-структурами, імплантованими іонами Sisup+/sup, Arsup+/sup, Nesup+/sup. !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND! Дод. точки доступу: Юхимчук, В. О.
Видання зберігається у :
|
|