|
|
Кутний, В. Е.
Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов $Egamma-излучения [Text] !Otitkn.pft: FILE NOT FOUND! !oizd.pft: FILE NOT FOUND! !ospec.pft: FILE NOT FOUND! !oistaspk_H.pft: FILE NOT FOUND! Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Шифр журнала:
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковый детектор -- CdZnTe -- вольт-амперная характеристика -- омический контакт -- структура "металл-полупроводник".
Анотація: Исследовано влияние термообработки (ТО) на электрофизические свойства датчиков <$Egamma>-излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe p-типа. Определен оптимальный режим ТО. Показано, что применение ТО позволяет значительно снизить ток утечки и повысить рабочее напряжение, что способствует улучшению спектрометрических характеристик датчика. Приведены экспериментальные результаты, демонстрирующие, что изменение характеристик детектора в большей степени обусловлено модификацией границы раздела "металл - полупроводник", чем изменением свойств боковой поверхности.
The influence of heat treatment on properties of Cd0,9Zn0,1Te semiconductor detectors p-type was investigated. Were considered different temperature types of heat treatment. Heat treatment influence on detectors J-V characteristics and spectrometric parameters was determined. !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND!
Дод. точки доступу:
Кутний, Д. В.; Рыбка, А. В.; Абызов, А. С.; Давыдов, Л. Н.; Наконечный, Д. В.; Шляхов, И. Н.
Видання зберігається у :
|
|