РА386381 Ковальов, Ю. Г. Кременчуц. нац. ун-т ім. М. Остроградського. Рубрикатор НБУВ: Анотація: Розроблено технологічні режими рідинної епітаксії для росту тонких структурно досконалих гетеро-структур (ГС), що можуть слугувати базовими елементами у разі виготовленя приладів оптоелектроніки. Здійснено аналіз можливостей росту методом рідинної таксії (РЕ) тонких епітаксійних шарів (ЕШ) для далекого інфрачервоного (ІЧ) діапазону (18 - 30 мкм) вільних від дислокацій. Розроблено моделі різних етапів проведення рідинної епітаксії, що дозволяє запропонувати рекомендації щодо проведення процесів вирощування й оптимізації технологічних параметрів. Проведено експериментальну перевірку, яка їх підтвердила. Розроблено модель багатошарових структур, вільних від дислокацій невідповідності та технологію їх росту. Проведено легування ЕШ Pbsub 1-x/subSnsub x/subTesub 1-y/subSesub y/sub перехідними металами (V, Cr або Mn) та встановлено технологічні режими росту якісних зразків і досліджено їх механічні й електрофізичні властивості. На основі вирощених структур сформовані гетеропереходи та досліджено їх властивості. !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND! Видання зберігається у : |