|
|
Осинский, В. И.
Нанокарбидные процессы при МОС-эпитаксии III-нитридных структур [Text] !Otitkn.pft: FILE NOT FOUND! !oizd.pft: FILE NOT FOUND! !ospec.pft: FILE NOT FOUND! !oistaspk_H.pft: FILE NOT FOUND! Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Шифр журнала:
Анотація: Рассмотрена возможность целенаправленного формирования оптоэлектронных приборов с использованием многообразия углеродных наноструктур. Впервые получена аномальная анизотропная электропроводность с полупроводниковым характером температурной зависимости поверхности накарбидизированного с-сапфира. Установлено активирующее влияние температурной обработки поверхности с-сапфира в потоке аммиака (ITD = 1050 градусов по Цельсию, ItD = 20 мин при давлении в реакторе порядка 20 - 50 мбар) для последующего образования в нанотекстурированном сапфире нанокарбидных структур в потоке триметил алюминия (ITD = 1000 градусов по Цельсию, газ-носитель азот, ItD = 1 мин). !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND!
Дод. точки доступу:
Ляхова, Н. Н.; Масол, И. В.; Грунянская, В. П.; Деминский, П. В.; Суховий, Н. О.; Стонис, В. В.; Оначенко, М. С.
Видання зберігається у :
|
|