Павлик, Б. В.
Дослідження стабільності параметрів транзисторних термосенсорів під дією рентгенівського опромінення та магнітного поля [] !Otitkn.pft: FILE NOT FOUND! !oizd.pft: FILE NOT FOUND! !ospec.pft: FILE NOT FOUND! !oistaspk_H.pft: FILE NOT FOUND!

Рубрикатор НБУВ:
 З322 
Тематичні рубрики:


Шифр журнала:

Анотація: Надано параметри, яким повинні відповідати кремнієві транзистори, придатні для використання в термометрії. Досліджено вплив рентгенівського опромінення (X-променів) і слабких магнітних полів на електрофізичні характеристики термосенсорів на базі Ip - nD-переходу транзистора 2Т363А. З аналізу змін вольтамперних (ВАХ) і вольтфарадних характеристик показано, що на початковій стадії рентгенівського опромінення спостерігається збільшення ефективності рекомбінаційних процесів в області просторового заряду та незначне зменшення величини прямого струму ВАХ, що можна пояснити ефектом руйнування метастабільних структурних дефектів бази транзистора. Зовнішнє магнітне поле (IBD = 0,17 Тл) практично не змінює ефективності рекомбінаційних процесів в ОПЗ, але проявляє вплив на дифузійну компоненту прямого струму через Ip - nD-перехід. Дія рентгенівських променів (IDD 325 Гр) і магнітних полів (експозиція до 15 год) практично не змінила вольттемпературні характеристики, з чого можна зробити висновок про стабільність робочих характеристик за вищезгаданих умов. !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND!

Дод. точки доступу:
Леновенко, А. М.; Грипа, А. С.