РА398063
Мішакова, Тетяна Олександрівна.
Еліпсометрія напівпровідникових планарних наноструктур з урахуванням ефектів ближнього поля [] !Otitkn.pft: FILE NOT FOUND! !oizd.pft: FILE NOT FOUND! !ospec.pft: FILE NOT FOUND! !ovixd.pft: FILE NOT FOUND! !ofizxar_H.pft: FILE NOT FOUND! !Oprim_H.pft: FILE NOT FOUND! !Oisbncnk_H.pft: FILE NOT FOUND! !oant_H.pft: FILE NOT FOUND! !opri451_H.pft: FILE NOT FOUND! !Opris488_H.pft: FILE NOT FOUND!

Рубрикатор НБУВ:
Тематичні рубрики:


Анотація: Дослідження присвячено побудові самоузгодженої теорії відгуку моношару взаємодіючих наночастинок, що базується на методі функцій Гріна. Розвинено модель оптичного відгуку шару еліптичних наночастинок, що хаотично та рівномірно розміщені на поверхні. Проведено еліпсометричні вимірювання для двох типів зразків із золотих частинок з різними параметрами на поверхні. Експериментально показано, що стандартні моделі апроксимації ефективним середовищем не можуть коректно описати властивості одержаних спектрів. Визначено, що еліпсометричні спектри сильно залежать від геометричних параметрів частинок. Розраховано чутливість сенсора на локальних плазмонах та знайдено оптимальні параметри частинок для збільшення його чутливості. !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND!

Дод. точки доступу:
НАН України; Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова (Київ)