|
|
Makogon, Iu. N.
Formation and thermal stability of NiSi phase in Ni(30 nm)/Pt(2 nm; 6 nm)/SiVBIep.D (50 nm)/Si(001) thin film systems [] !Otitkn.pft: FILE NOT FOUND! !oizd.pft: FILE NOT FOUND! !ospec.pft: FILE NOT FOUND! !oistaspk_H.pft: FILE NOT FOUND! Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Шифр журнала:
Анотація: Досліджено вплив Pt на твердотільні реакції у нанорозмірних плівках Ni(30 нм)/Pt(2 нм; 6 нм)/SiVIеп.D (50 нм)/Si(001) (де IxD = 2 нм, 6 нм). Шари Pt і Ni одержано магнетронним осадженням на шар Si товщиною 50 нм, епітаксіально вирощений на монокристалічній підкладці Si(001) за кімнатної температури. Швидкісний термічний відпал зразків проведено в атмосфері азоту в інтервалі температур 450 - 900 градусів за Цельсієм протягом 30 с. У осаджених плівках фазоутворення не спостережено. В процесі термічної обробки термічно активовані твердотільні реакції починаються з утворення проміжної силіцидної фази NiV2DSi для IxD = 2 нм, але для IxD = 6 нм формування цієї збагаченої нікелем фази є утрудненим. Збільшення температури відпалу до 600 градусів за Цельсієм, незалежно від товщини проміжного шару Pt, призводить до формування фаз NiSi і PtSi та твердого розчину NiVI1-xDPtVIxDSi. Для IxD = 6 нм спостережено двошарову гетероструктуру: ближче до поверхні формувалася складна полікристалічна фаза NiVI1-xDPtVIxDSi, нижче за яку розташовувалася фаза NiSi. Після відпалу за температури 650 і 850 градусів за Цельсієм силіцид NiVI1-xDPtVIxDSi розпадався на фази NiSi і PtSi. Концентраційні профілі, одержані за допомогою методу мас-спектрометрії вторинних нейтралей, продемонстрували збагачення поверхневих шарів кремнієм, що можна пояснити швидкою дифузією Si вздовж меж зерен. !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND!
Дод. точки доступу:
Pavlova, E. P.; Sidorenko, S. I.; Beddies, G.; Beke, D. L.; Csik, A.; Verbitska, T. I.; Fihurna, E. V.; Shkarban, R. A.
|
|