Павлов, Д. І.
Розробка підсилювача НВЧ діапазону на основі нітрид-галієвих напівпровідникових структур [] !Otitkn.pft: FILE NOT FOUND! !oizd.pft: FILE NOT FOUND! !ospec.pft: FILE NOT FOUND! !oistaspk_H.pft: FILE NOT FOUND!

Рубрикатор НБУВ:
УДК:
 621.37 
 004.02 
Тематичні рубрики:


Шифр журнала:

Анотація: За допомогою методів числового аналізу проведено моделювання мікрохвильових характеристик підсилювача НВЧ діапазону на основі нітрид-галієвих (НГ) напівпровідникових структур. Показано, що у разі побудови пристрою на основі НГ НЕМТ-транзисторів, можна досягти коефіцієнта підсилення близько 50 дБ за розмірів підсилювача $E27~times~18~times~5,5~roman мм sup 3. !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND!

Дод. точки доступу:
Прокопенко, О. В.; Цвірко, Ю. А.; Павлов, І. Л.