|
|
Gemechu, N.
Thermoluminescence from silicon quantum dots in the two traps - one recombination center model [] !Otitkn.pft: FILE NOT FOUND! !oizd.pft: FILE NOT FOUND! !ospec.pft: FILE NOT FOUND! !oistaspk_H.pft: FILE NOT FOUND! Рубрикатор НБУВ: УДК: Тематичні рубрики:
Шифр журнала:
Кл.слова (ненормированные):
thermoluminescence -- quantum dots -- radiative recombination -- retrapping
Анотація: Запропоновано модель кінетики першого та довільного порядків термолюмінесценції (ТЛ) квантових точок кремнію, що включає один центр рекомбінації і два різних електронних рівня пасток нижче краю зони провідності. Кінетичні рівняння для кожного рівня надають можливість числово моделювати залежність концентрації електронів у пастках та інтенсивності ТЛ від температури для квантових точок 2 - 8 нм у діаметрі. Показано, що інтенсивність зростає у разі зменшення діаметра точок, тобто, ефект квантового утримування збільшує швидкість радіаційної рекомбінації. Два піки інтенсивності відповідають двом різним електронним рівням. Зі збільшенням розміру точок, піки, відповідні самому глибокому рівню, зсуваються до області великих температур. Розраховано зміну концентрації електронів у пастках, і цей результат відповідає експериментальним даним по ТЛ тліючого розряду. !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND!
Дод. точки доступу:
Senbeta, T.; Mesfin, B.; Mal'nev, V. N.
|
|