|
|
Дружинін, А. О.
Магнітоопір ниткоподібних кристалів Ge-Si [Text] !Otitkn.pft: FILE NOT FOUND! !oizd.pft: FILE NOT FOUND! !ospec.pft: FILE NOT FOUND! !oistaspk_H.pft: FILE NOT FOUND! Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Шифр журнала:
Кл.слова (ненормированные):
ниткоподібний кристал -- перехід метал-діелектрик -- магнітоопір -- енергія активації -- коефіцієнт тензочутливості
Анотація: Досліджено поведінку магнітоопору в діапазоні полів <$E0~ symbol Ш ~14~ roman Тл>, а також вплив температури та деформації на величину і характер від'ємного магнітного опору (ВМО) в ниткоподібних кристалах твердого розчину <$Eroman Ge sub x roman Si sub {1~-~x }> (х = 0,01 - 0,05) р-типу провідності, легованих бором до концентрацій, що відповідають близькості до переходу метал-діелектрик. Установлено, що магнітоопір істотно залежить від рівня легування та деформації зразків в області низьких температур і описується теорією квантових поправок. У слабких магнітних полях в температурному діапазоні <$E7~ symbol Ш ~10~ roman К> виявлено ВМО, зумовлений провідністю по делокалізованих станах верхньої зони Хаббарда.
Magnetoresistance as well as temperature and strain influence on the magnitude of negative magnetoresistance (NMR) of p-GexSi1-x (х = 0.01-0.05) whiskers doped with boron to concentrations closed to metal-insulator transition in magnetic fields 0-14 Twere investigated. Magnetoresistance was shown to depend on doping level and strain of the whiskers at low temperatures and can be explained by Altshuler's theory. NMR was observed in weak magnetic field at temperature range 7-10 K. It appears due to conduction on delocalized states of the Upper Habbard Band !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND!
Дод. точки доступу:
Островський, І. П.; Лях, Н. С.
Видання зберігається у :
|
|