|
|
Маланич, Г. П.
Формирование полированной поверхности полупроводниковых пластин PbTe и PbVB1-xDSnVBxDTe [] !Otitkn.pft: FILE NOT FOUND! !oizd.pft: FILE NOT FOUND! !ospec.pft: FILE NOT FOUND! !oistaspk_H.pft: FILE NOT FOUND! Рубрикатор НБУВ: УДК: Тематичні рубрики:
Шифр журнала:
Кл.слова (ненормированные):
монокристалл -- теллурид свинца -- твердые растворы -- скорость травления -- химико-механическое полирование
Анотація: Исследовано взаимодействие монокристаллических пластин PbTe и твердых растворов Pb1-xSnxTe с бромвыделяющими травителями (H2O2-HBr-этиленгликоль)/этиленгликоль (ЭГ), разработаны и оптимизированы составы травильных композиций, а также методики химической обработки для формирования высококачественной поверхности. Изучены зависимости скоростей химико-механического полирования (ХМП) от разбавления базового полирующего травителя органическим компонентом. Определен характер растворения исследуемых материалов в растворах (H2O2-HBr-ЭГ)/ЭГ, построены графические зависимости "состав травителя - скорость травления". Установлены концентрационные границы областей полирующих и неполирующих растворов. Показано, что увеличение количества ЭГ в составе травильной смеси уменьшает скорость травления полупроводниковых подложек PbTe и твердых растворов Pb1-xSnxTe и улучшает полирующие свойства травильных композиций. Минимальные значения скоростей травления достигаются при максимальном насыщении смеси органическим компонентом (60 об. %). Микроструктурным и профилографическим анализами установлено влияние количественного и качественного состава травителей, а также способов химической обработки на параметры шероховатости поверхностей PbTe и твердых растворов Pb1-xSnxTe. Установлено, что ХМП монокристаллических полупроводников травильными растворами состава H2O2-ЭГ способствует уменьшению структурных нарушений подложек и получению качественной полированной поверхности. Оптимизированы составы полирующих травильных композиций (H2O2-HBr-ЭГ)/ЭГ и технологические режимы ХМП для снятия нарушенного слоя, быстрого контролированного утонения пластины до заданной толщины, снятия поверхностных пленок и финишного полирования поверхности монокристаллических образцов PbTe и твердых растворов Pb1-xSnxTe. !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND!
Дод. точки доступу:
Томашик, В. Н.
|
|