|
|
Гасанов, А. М.
Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры [Text] !Otitkn.pft: FILE NOT FOUND! !oizd.pft: FILE NOT FOUND! !ospec.pft: FILE NOT FOUND! !oistaspk_H.pft: FILE NOT FOUND! Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Шифр журнала:
Кл.слова (ненормированные):
негатрон -- МОП-структура -- локальное давление -- упругие механические напряжения -- ширина запрещенной зоны.
Анотація: Исследовано влияние локального анизотропного давления на кремниевую МОП-структуру. Показано, что повышение инверсной емкости связано не только с увеличением положительных носителей в окисле на границе раздела Si-SiO под влиянием локального давления, а вызвано также и уменьшением ширины запрещенной зоны полупроводника. Предложена негатронная схема, преобразующая давление в частоту.
The influence of local anisotrophic pressure on the silicon MOS-structure investigated. The negatron circuit of converting pressure in frequency for remote measurement is offered. !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND!
Дод. точки доступу:
Касимов, Ф. Д.; Лютфалибекова, А. Э.
Видання зберігається у :
|
|