|
|
Ёдгорова, Д. М.
Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р-n-переходом [Text] !Otitkn.pft: FILE NOT FOUND! !oizd.pft: FILE NOT FOUND! !ospec.pft: FILE NOT FOUND! !oistaspk_H.pft: FILE NOT FOUND! Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Шифр журнала:
Кл.слова (ненормированные):
полевой транзистор -- ток стока -- режим автоматического смещения -- насыщение тока стока.
Анотація: Приведены результаты исследования процессов насыщения тока стока полевого транзистора с р-n-переходом. Показано, что при анализе процессов насыщения тока стока в схеме с общим истоком или в режиме автоматического смещения необходимо учитывать различный характер зависимости напряжений, падающих на переходах "сток - затвор" и "затвор - исток", для каждого случая. Полученные результаты представляют интерес для проектирования различных схем на основе полевых транзисторов.
The results of research of processes of saturation of a current of a drain of the field transistor with р-n-junction are given. Is shown, that it is necessary to take into account various character of dependence of voltage falling on drain-gate and gate-source transitions for each case at the analysis of processes of saturation of a drain current in the circuit with a general source or in a mode of automatic displacement. The received results are of interest for designing the various circuits on the basis of field transistors. !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND!
Видання зберігається у :
|
|