|
|
Каримов, А. В.
Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур [Text] !Otitkn.pft: FILE NOT FOUND! !oizd.pft: FILE NOT FOUND! !ospec.pft: FILE NOT FOUND! !oistaspk_H.pft: FILE NOT FOUND! Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Шифр журнала:
Кл.слова (ненормированные):
изотип -- фотоэлектропреобразователь -- гетероструктура -- барьер -- фотоэлектрическое усиление
Анотація: Приведены результаты исследования особенностей фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательной структуры на основе изотипного NGaAs-nGaInAs-гетероперехода с потенциальными барьерами из Ag. Проанализированы физические процессы, протекающие в потенциальных барьерах при воздействии оптического излучения. Структуры обладают большей фоточувствительностью (2,2 А/Вт) при малых интенсивностях светового излучения. Фототок в примесной области поглощения охватывает широкий диапазон, вплоть до 1,7 мкм.
The results of research of features of the photo-electric characteristics of photoelectric converter of structure on a basis isotype NGaAs-nGaInAs-heterojunction with potential barriers from Ag are given. On the basis of settlement and experimental data the physical processes proceeding in potential barriers at influence of optical radiation are analysed. Is shown, that Ag-NGaAs-nGaInAs-Ag-structure has the greater photosensitivity (2,2 A/Wt) at small intensity of light radiation. The photocurrent inimpurity of area of absorption covers a wide range, down to 1,7 microns. !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND!
Дод. точки доступу:
Ёдгорова, Д. М.; Гиясова, Ф. А.; Азимов, Т. М.; Бузруков, У. М.; Якубов, А. А.
Видання зберігається у :
|
|