Досліджено кінетику росту атомарних кластерів у газовому струмені, що розширюється у вакуумі, а також вакансійних кластерів (пор) в опромінюваному кристалі. Процес агрегації часток та росту кластерів відіграє істотну роль у різних галузях фізики твердого тіла, які мають важливі застосування. Кінетику росту атомарних кластерів досліджено з урахуванням одночасної дії двох механізмів росту: шляхом конденсації газу на поверхні кластерів, а також злиття кластерів під час зіткнення. Встановлено, що кінетика росту вакансійних кластерів має важливі особливості, зумовлені його неоднорідним характером: пори ростуть швидше поблизу дислокацій, ніж у далині від них. Наведено результати, що складають фізичну основу щодо покращання структури кристала шляхом радіаційного відпалу та зменшення чутливості кристала до опромінювання завдяки первісному інтенсивному опроміненню контрольованою дозою.

  Завантажити