Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Визначено технологічні умови росту: сприятливі для одержання напівізолюючих подвійно легованих кристалів телуриду кадмію та ртутних твердих розчинів, близьких до нього за складом. Оптичні дослідження зазначених матеріалів дозволили ідентифікувати основні фотоіонізаційні переходи, що мають місце у кристалах, легованих домішками двох видів, а також пов'язати ці дані з результатами досліджень у них явищ переносу. На основі високоомних кристалів CdTe : V створено випрямляючі структури типу метал - напівпровідник, що завдяки своїй фоточутливості в області 1 - 1,5 мкм принципово можуть використовуватися як фотоприймачі у волоконно-оптичних лініях зв'язку.

  Скачати повний текст

Розглянуто питання стосовно комплексоутворення точкових дефектів, класифікації та механізмів утворення ростових мікродефектів у бездислокаційних монокристалах кремнію, вирощених з використанням методів Чохральського та безтигельної зонної плавки. Проведено комплексні дослідження структурної досконалості кристалів і кремнієвих композицій залежно від умов їх формування, а також електрофізичні дослідження отриманих композицій. На підставі результатів експериментів розроблено узагальнений механізм утворення, росту і трансформації мікродефектів у бездислокаційних монокристалах кремнію.

  Скачати повний текст

Розроблено новий загальний механізм утворення ростових мікродефектів, який грунтується на результатах численних експериментальних досліджень і концепції спільного існування вакансій та власних міжвузлових атомів кремнію поблизу температури кристалізації. За допомогою просвітлювальної електронної мікроскопії здійснено експериментальні дослідження знака деформації кристалічної гратки бездислокаційних монокристалів кремнію, яку викликають монокристали, що були вирощені за методами Чохральського та безтигельної зонної плавки за різних теплових умов росту. Вивчено процеси трансформації ростових мікродефектів у разі технологічних дій на кристали (термічної обробки, епітаксійного нарощування, іонної імплантації). Здійснено електрофізичні дослідження об'ємних кристалів та одержаних композицій. Показано, що агрегація точкових дефектів у вакансійно-міжвузловинному та міжвузловинному режимах росту кристалів за визначених теплових умов росту у процесі охолодження кристала може призводити до утворення вторинних дефектів - вакансійних октаедричних мікропор і міжвузловинних дислокаційних петель біля первинних киснево-вакансійних і вуглецево-міжвузловинних арегатів відповідно. Створено єдину класифікацію ростових мікродефектів, яка передбачає врахування картин їх розподілу залежно від швидкості росту кристалів малих діаметрів знака деформації кристалічної гратки, спричиненої певним дефектом.

  Скачати повний текст

Досліджено дефектні стани, створювані залишковими домішками та дефектами гратки, їх взаємодію між собою і з екситонами, а також вплив цієї взаємодії на енергетичну структуру напівізолюючого спеціально нелегованого арсеніду галію. Експериментально показано, що в напівізолюючому GaAs спостерігається значна взаємодія дефектних станів (домішок між собою та з дефектами гратки, домішок з вільними екситонами). Визначено роль домішки вуглецю в утворенні дивакансій галію. Отримано залежність між концентрацією вуглецю і концентрацією дивакансій галію та запропоновано модель, що пояснює цю залежність. Запропоновано безконтактний експресний метод визначення кількісного вмісту вуглецю, цинку та кремнію в напівізолюючому GaAs.

  Скачати повний текст

Встановлено, що у кристалах CdTe:As та СdТе:Р в області насичення кадмієм основними точковими дефектами є дефекти заміщення в підгратці телуру, які зумовлюють значне зниження концентрації електронів та електропровідності у порівнянні з нелегованим матеріалом. З'ясовано, що за високих концентраціях домішки утворюються донорні дефекти, які посилюють компенсаційні процеси. Встановлено умови, за яких термообробкою за високої температури під тиском пари кадмію кристали CdTe:Sb можна перевести у високоомний стан з метою застосування в нелінійній оптиці. Виявлено, що за умов високотемпературної рівноваги дефектів ванадій і бісмут у CdTe заміщують кадмій у вузлах кристалічної гатки, що проявляється у зростанні концентрації електронів у порівнянні з нелегованим матеріалом.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Створено модифіковану динамічну дифракційну модель високороздільної рентгенівської дифрактометрії, в якій враховано ефекти асиметрії інтенсивності дифузного розсіяння (ДР) від мікродефектів з розкидом і розмірами, інтенсивність теплового ДР, а також вплив скінченної величини приймальної апертури детектора й інших інструментальних факторів на відбивну здатність кристала. Вперше для трикристального дифрактомера, створеного з використанням розробленої моделі, показано суттєвий вплив ефектів асиметрії ДР від мікродефектів у монохроматорі на форму вимірюваних дифракційних профілів. Доведено, що даний ефект є причиною різкого асиметричного перепаду висоти псевдопіка у порівнянні з висотою головного піка за наявності протилежних відхилень досліджуваного кристала, природа якого не була відомою. Встановлено природу чутливості кривих дифракційного відбиття до типу дефектів навіть з однаковими або близькими розмірами (преципітатів і дислокаційних петель), обумовлену спільним урахуванням у модифікованій дифракційній моделі дифузного розсіяння Хуана - Кривоглаза і Стокса - Вільсона, а також ефектів асиметрії. Обгрунтовано можливість використання розробленої моделі для визначення кількісних характеристик складної дефектної структури монокристалів кремнію, вирощених методами зонної плавки та Чохральського, а також перевірки існуючих теоретичних моделей кінетики дефектоутворення в кристалах.

  Скачати повний текст

Досліджено процеси дефектоутворення в кремнії, структурах і приладах на основі кремнію, встановлено механізми трансформації вихідних дефектів у процесах легування і окиснення кремнію. Запропоновано й експериментально підтверджено механізм утворення двох областей, що розташовані на різних глибинах від поверхні та містять дефекти, які утворюються за іонного легування пластин кремнію. Встановлено механізм зміцнення кристалів p-кремнію, що містять фонову домішку кисню, яка преципітує на дислокаціях. Показано, що шаруватість пластин монокристалічного кремнію є першопричиною виникнення дефектів упаковки в окиснених пластинах. Описано й експериментально підтверджено механізм трансформації мікродефектів у дефекти упаковки внаслідок окиснення пластин кремнію. Побудовано температурні залежності коефіцієнта посилення фотоструму та квантової ефективності інфрачервоних кремнієвих p-i-n-ФП для різної густини дислокацій. Визначено механізми зміни форми температурної залежності коефіцієнта посилення фотоструму та квантової ефективності інфрачервоних кремнієвих p-i-n-ФП у разі зростання густини дислокацій. Ппоказано, що відбір p-i-n-ФП за S-подібністю ВАХ може бути використаний для виявлення фотоприймачів, які містять області розупорядкування у вигляді полікристалічного кремнію.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Теоретично розглянуто питання про вплив індукованих пінінгом магнітного потоку напруг на низькотемпературні структурні фазові переходи у високотемпературних надпровідних системах.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Досліджено монокристали системи PbTe - SnTe, вирощені із розплаву та із парової фази та леговані домішкою Gd у процесі росту.

  Скачати повний текст

Досліджено вплив домішок та умов відпалу на електричні властивості та конверсію типу провідності бездомішкових і легованих ауром, індієм, талієм, германієм і хлором кристалів кадмій телуриду. Розроблено моделі квазіхімічних реакцій утворення точкових дефектів у легованому матеріалі. На базі використання інтегральних, парціальних і відносних коефіцієнтів компенсації встановлено домінуючі точкові дефекти. Доведено можливість прогнозування на основі розроблених моделей дефектоутворення електричних властивостей матеріалу за умов високотемпературної рівноваги дефектів, а також визначення концентрації спектра дефектів та холлівської концентрації носіїв заряду у кристалах, відпалених за високих температур і охолоджених до кімнатної.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Висвітлено розвиток мікроскопічної самоузгодженої теорії електрон-деформаційних ефектів у кристалах зі структурними неоднорідностями (точкові, лінійні, плоскі дефекти, стінка дислокацій) та в напружених гетеросистемах. На основі даної теорії розкрито механізм виникнення електрон-деформаційного диполя на напруженій гетеромережі, вздовж осі дислокації та дислокацій, що утворюють дислокаційну сітку. Наведено теоретичний опис з урахуванням електрон-деформаційної взаємодії розсіяння Х-променів у напружених надгратках, зміни деформаційного стану гетеросистем з неузгодженими параметрами граток, дефектного кристала й енергетичного положення локалізованих станів електрона, зумовлених дислокацією під впливом зовнішніх полів (електричного або магнітного) та зміни ступеня заповнення електронної зони. Доведено, що електрон-деформаційна взаємодія призводить до звуження області локалізації імплантованої домішки та пониження розмірності електронної підсистеми у структурах з неоднорідно напруженим шаром. Досліджено вплив поверхнево-деформаційних ефектів напівпровідника на властивості контакту поверхнево-бар'єрних структур виду Шотткі.

  Скачати повний текст

Розроблено методику дифузійного легування хромом і кобальтом монокристалів ZnS, ZnSe і ZnTe, що дозволяє досягти однорідного розподілу домішки в об'ємі кристалу. Вперше визначено коефіцієнти дифузії хрому і кобальту в кристалах селеніду цинку за температури легування 1 073 - 1 273 К. Досліджено смуги поглинання монокристалів ZnSe:Cr в синьо-зеленій області спектра і встановлено їх природу. Встановлено присутність аналогічних смуг в кристалах ZnS:Cr. У ближній ІЧ-області вперше виявлено й ідентифіковано ряд ліній поглинання кобальту у всіх досліджуваних кристалах. З'ясовано, що у кристалах ZnSe це лінії на 1.77 та 1.71 еВ, в ZnS - 1.86, 1.80 та 1.73 еВ та в ZnTe - 1.53, 1.47 та 1.38 еВ. Встановлено, що спостережуване зміщення однотипних спектральних ліній поглинання в кристалах ZnS:Co, ZnSe:Co, ZnTe:Co обумовлено головним чином збільшенням іонного радіусу аніонів у послідовності S - Se - Te.

  Скачати повний текст

З'ясовано роль часткових дислокацій у формуванні структури кристалів сульфіду та селеніду цинку у процесі їх вирощування з розплаву, а також закономірності та вплив на фізичні властивості кристалів взаємодії нерухомих дислокацій з електронною підсистемою. Доведено, що формування структури кристалів сульфіду цинку відбувається в результаті мартенситних перетворень. Виявлено та досліджено ефект стимульованого пластичною деформацією аномального збільшення електричної провідності кристалів ZnS і ZnSe. Доведено, що за умов зсуву ростових дислокацій в атмосферах Коттрелла відбувається збільшення їх електричної активності, що пояснює особливості різних властивостей кристалів сульфіду цинку, спостережувані в області малих деформацій. Запропоновано один з механізмів деградації електролюмінесцентних властивостей досліджених матеріалів. Установлено факт збільшення електричного заряду нерухомих дислокацій за умов збудження електронної підсистеми кристалів сульфіду цинку.

  Скачати повний текст

Досліджено вплив нерівноважних точкових дефектів на процеси перерозподілу домішок поблизу меж розділу фаз у твердому тілі, вивчено механізми прискореної дифузії домішок, їх електричну активацію та преципітацію, а також процеси гетерування рекомбінаційно-активних домішок у шаруватих структурах: мультикристалічний кремній - поруватий кремній - алюмінієва плівка. З'ясовано вплив ультразвукового (УЗ) випромінювання на процеси дифузії дефектів за умов імплантації іонів бору й аргону у кремній. Розроблено методику пошарового високочастотного розщеплення діелектричних матриць. Досліджено активацію домішки As після ізохронних й ізотермічних відпалів за присутності кисню та вуглецю. Доведено, що por-Si+Al/Si структура є ефективним гетерним шаром у разі швидких термічних відпалів. Виявлено, що УЗ опромінення у разі імплантації призводить до зменшення дефектності у вихідних і відпалених зразках, а також до пригнічення прискореної дифузії бору у кремнії. Запропоновано фізичну модель цього явища.

  Скачати повний текст