На підставі спектрально-кінетичних досліджень люмінесценції чистих та активованих галоїдних сполук визначено ряд особливостей процесів релаксації високоенергетичного збудження за участю остовних дірок. Виявлено взаємодію остовних дірок з поверхневими дефектами та електронними домішковими станами, розташованими вище вершини валентної зони кристала.

  Скачати повний текст

Шляхом вакуумної конденсації одержано шари сцинтилятора CsI(Tl) з відтворюваною морфологією, структурними та сцинтиляційними характеристиками на підкладках різних типів. З використанням методів рентгеноструктурного аналізу та растрової електронної мікроскопії установлено закономірності структуроутворення й особливості формування стовпчастої морфології шарів CsI(Tl) за умов вакуумної конденсації. Розроблено й апробовано методику вакуумного напилення даних шарів, що дозволяє забезпечити у зростаючому шарі необхідну концентрацію активатора та його однорідний розподіл в об'ємі шару. За запропонованою методикою математичної обробки спектрів амплітуд імпульсів сцинциляцій одержано кількісні характеристики світлового виходу шарів CsI(Tl), близькі до характеристик кращих кристалів CsI(Tl). Показано можливість формування зображення в gamma-випромінюванні з використанням стовпчастих шарів CsI(Tl). За методом побудови функцій передачі модуляції оцінено просторову роздільну здатність даних шарів.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст