Розроблено методику та зроблено оцінку міжбалістичного транспорту вільних носіїв у приладах з арсеніду галію залежно від режиму роботи та параметрів напівпровідникових структур (НПС). Запропоновано математичну модель для опису у кінетичному наближенні процесів, що відбуваються у НПС, яка враховує найбільш імовірні процеси розсіяння електронів у кристалі напівпровідника. Наведено модель і створено пакет програм для комплексного числового моделювання уніполярних напівпровідникових приладів планарної архітектури з затвором Шотткі. Проведено апробацію моделі, показано адекватність опису процесів, що відбуваються у приладах субмікронних розмірів. За допомогою даної моделі проведено цикл експериментів, що досліджують динамічні характеристики GaAs і вплив різних режимних і конструктивних параметрів на характеристики польових транзисторів із затвором Шотткі.

  Скачати повний текст

Здійснено числове дослідження особливостей характеристик GaAs польового транзистора з затвором Шоткі (ПТШ) в області входження до перенапруженого режиму, включаючи пробій. Створено та реалізовано нову числово-аналітичну модель GaAs ПТШ, що забезпечує можливість аналізу функціонування за таких режимів. Модель базується на розв'язанні кінетичної та теплової задач з урахуванням специфіки розігріву та механізмів розсіювання носіїв у каналі, є сукупністю системи рівнянь Больцмана та Пуассона, доповненою нестаціонарним рівнянням теплопровідності та моделями контактів метал - напівпровідник. Система розв'язується за методом макрочастинок. Показано адекватність моделі. Проведено числові дослідження впливу різних режимних та конструктивних параметрів ПТШ на його характеристики за номінального та напруженого режимів роботи ПТШ, зокрема його пробою.

  Скачати повний текст