 Книжкові видання та компакт-диски  Журнали та продовжувані видання  Автореферати дисертацій  Реферативна база даних  Наукова періодика України  Тематичний навігатор  Авторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Пошуковий запит: (<.>K=АSUP<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
|
| 1. |
Ткач О.О. Багатохвильове аномальне проходження рентгенівських променів в одновимірнодеформованих кристалах сполук А3В5: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / О.О. Ткач ; Ін-т металофізики ім. Г.В.Курдюмова НАН України. — К., 2002. — 20 с. — укp.З використанням числового розв'язку системи диференційних рівнянь Такагі встановлено, що одновимірні деформації у вигляді схованого під поверхнею шару в кристалах з граткою сфалерату призводять до суттєвих змін розподілу інтенсивності в багатохвильових областях розсіяння та осциляційної залежності інтегральних коефіцієнтів проходження від величини деформації. Встановлено, що найбільші зміни в розподілах інтенсивності багатохвильового розсіяння спостерігаються у разі локалізації деформованого шару на 1/2 екстинкційної товщини та орієнтації вектора зміщень атомних площин паралельно до об'єднувального вектора дифракції трихвильового відбивання. Визначено, що чутливішою до такої деформації є сполука з більшою різницею атомних номерів. Значне посилення ефекту багатохвильового аномального проходження для ряду три-, чотири-, шестихвильових дифракцій перебувають у взаємозв'язку з відповідними перерізами дисперсійної поверхні, степенями збудження хвильових мод і асиметрією розподілу коефіцієнтів поглинання. Точки збудження, які мігрують за дисперсійною поверхнею, залежно від її кривизни проходять багатохвильові області з різною швидкістю, перемішують хвильові моди з різними фазовими співвідношеннями, що призводить до трансформацій багатохвильових областей розсіяння. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В372.134в641.8,022 Шифр НБУВ: РА320363 Пошук видання у каталогах НБУВ
| | 2. |
Литвин О.С. Морфологічні та структурні зміни в напівпровідниках А3В5 і А2В6 та системах на їх основі, стимульовані післяростовими обробками: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук / О.С. Литвин ; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. — К., 2001. — 20 с. — укp.Встановлено зв'язок наноморфології поверхні полікристалічних плівок, що є компонентами напівпровідникових приладних структур, з їх внутрішньою кристалічною структурою, рівнем механічних напруг у системах як цілому та процесами на межі поділу фаз, спричиненими високотемпературними відпалами. Встановлено зв'язок морфологічних і структурних характеристик полікристалічних плівок ZnS:Cu з умовами їх виготовлення та післяростових обробок. Досліджено залежність структурної досконалості контактних систем на GaAs з антидифузійним шаром дибориду титану від режиму магнетронного напилення та їх термічну стійкість. З використанням комплексу методів рентгеноструктурного аналізу й атомно-силової мікроскопії доведено пряму залежність морфологічних характеристик поверхні полікристалічних плівок від процесів структурної релаксації та перебудови всередині плівки, а також на межі розділу плівка - підкладка. Результати досліджень розвивають модельні уявлення про характер і походження структурних нерівноважностей багатошарових структур і процеси структурної релаксації в них, викликані зовнішніми впливами. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226,022 + В372.23,022 + з843.39 Шифр НБУВ: РА315412 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
| | 3. |
Давиденко С.М. Отримання структур з квантовими ямами, гетероструктур та тонких плівок напівпровідників А4 В6 та дослідження їх властивостей: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / С.М. Давиденко ; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. — К., 2001 — укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226,022 + В379.21,022 + З843.395 Шифр НБУВ: РА316515 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|
|
|