Пошуковий запит: (<.>U=З852.2$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 133
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
1. | РА412172 Попова, М. В. Разработка и исследование германиевых инжекционно-полевых триодов (N-триодов) [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 049 / М. В. Попова ; Акад. наук СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Л., 1970. - 15 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Академия наук СССР; Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе (Ленинград)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
2. | Р116276 Алиярова, З. А. Запоминающие устройства с применением диодов на основе сложных полупроводников [Текст] / З. А. Алиярова, Г. А. Аббасов. - Баку : [б. и.], 1974. - 11 с. : рис. - (Препр. / АН АзССР, Ин-т физики, Лаб. полупроводниковых приборов с управляемой памятью. №25). - Библиогр.: с. 6. - 100 прим.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Аббасов, Г. А.; Академия наук Азербайджанской ССРИнститут физики (Баку). Лаборатория полупроводниковых приборов с управляемой памятью
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
3. | ДС55919сл. Костенко, Виталий Леонидович. Адаптивно регулируемые комбинированные твердотельные структуры и устройства функциональной электроники на их основе [Текст] : дис... д-ра техн. наук: 05.27.03 / Костенко Виталий Леонидович ; Запорожская гос. инженерная академия. - Запорожье, 1977. - 299 л. с прил. Для сл. пользованияРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Запорожская государственная инженерная академия
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
4. | ІР8193 Dąbrowski, Władysław. Excess generation-recombination noise in reverse biased Schottky-barrier diodes [Text] / Władysław Dąbrowski, Kazimierz Korbel. - Kraków : [s. n.], 1988. - 21 p. : fig. - (Raport / Inst. fizyki i techniki jądrowej AGH, ISSN 0302-9034 ; INT 220/E). - 150 прим.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Korbel, Kazimierz
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
5. | РА290903сл Каробоев, Абдухолик Гапиевич. Процессы, определяющие деградацию фосфид- галлиевых светоизлучающих диодов [Текст] : автореф. дис... канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Каробоев Абдухолик Гапиевич ; АН УССР, Ин-т полупроводников. - К., 1991. - 16 с. Для сл. пользования.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Академия наук Украинской ССР (Киев); Институт полупроводников (Киев)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
6. | РА296095сл Деревенко, Анатолий Павлович. Кремниевые двухпролетные ЛПД с коэффициентом перекрытия 0,6 [Текст] : автореф. дис... канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Деревенко Анатолий Павлович ; АН Азербайджана, Институт физики. - Баку, 1992. - 18 с. Для сл. пользования.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Институт физики (Баку)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
7. | РА284836сл Сушанский, Вадим Валерьевич. Разработка СВЧ диода с заданной нелинейностью вольт-амперной характеристики [Текст] : автореф.дис...канд.техн.наук:05.27.01 / Сушанский Вадим Валерьевич ; Белорусский ун-т информатики и радиоэлектроники. - Минск, 1994. - 13 с. Для сл.пользованияРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Белорусский университет информатики и радиоэлектроники
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
8. | ДС49380 Белей, Мирон Іванович. Вирощування і властивості епітаксійних шарів системи телурид олова - селенід свинцю та створення діодів Шотткі на їх основі [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.03 / Белей Мирон Іванович ; Прикарпатський ун-т ім. В.Стефаника. - Івано-Франківськ, 1995. - 154 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Прикарпатський університет імені В. Стефаника (Івано-Франківськ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
9. | РА288273 Мельник, Володимир Васильович. Оптоелектронні властивості діодних структур на основі сульфоселенідів цинку [Текст] : автореф. дис...канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Мельник Володимир Васильович ; Чернівецький ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 1995. - 17 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Чернівецький университет імені Ю. Федьковича
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
10. | РА290648 Белей, Мирон Іванович. Вирощування і властивості епітаксійних шарів телурид олова- селенід свинцю та створення діодів шотткі на їх основі [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.03 / Белей Мирон Іванович ; Державний ун-т "Львівська політехніка". - Львів, 1995. - 23 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Державний університет "Львівська політехніка"
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
11. | ДС47588 Мельник, Володимир Васильович. Оптоелектронні властивості діодних структур на основі сульфоселенідів цинку [Текст] : дис...канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Мельник Володимир Васильович ; Чернівецький ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 1995. - 125 л.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Чернівецький университет імені Ю. Федьковича
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
12. | ДС51909 Стариков, Александр Иванович. Влияние электрофизических свойств и геометрии контактов на основные характеристики диодов с горячими носителями зарядов [Текст] : дис... канд. физ.- мат. наук: 01.04.04 / Стариков Александр Иванович ; Харьковский гос. ун-т. - Х., 1996. - 149 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Харьковский гос. университет
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
13. | РА292009 Стороженко, Игорь Петрович. Диоды Ганна на основе соединений АIIIBV с гетеропереходом на катодном контакте [Текст] : автореф. дис... канд. физ.- мат. наук: 01.04.03; 01.04.10 / Стороженко Игорь Петрович ; Харьковский гос. ун-т. - Х., 1996. - 16 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Харьковский гос. университет
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
14. | РА293148 Стариков, Александр Иванович. Влияние электрофизических свойств и геометрии контактов на основные характеристики диодов с горячими носителями заряда [Текст] : автореф. дис... канд. физ.-мат. наук: 01.04.04 / Стариков Александр Иванович ; Харьковский гос. ун-т. - Х., 1996. - 16 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Харьковский гос. университет
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
15. | ДС50619 Стороженко, Игорь Петрович. Диоды Ганна на основе соединений АШВV с гетеропереходом на катодном контакте [Текст] : дис... канд. физ.-мат. наук: 01.04.03; 01.04.10 / Стороженко Игорь Петрович ; Харьковский гос. ун-т. - Х., 1996. - 158 л.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Харьковский гос. университет
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
16. | MFI 3637/1-2 Hofer, Patrick. Parallelschaltung von Leistungshalbleitern mit steuerseitig geregelter Stromverteilung [Text] : Abh. / P. Hofer ; Eidgenössische Technische Hochschule Zürich. - Zürich : [б.в.], 1997. - 181 S.:Fig. - (Diss ETH ; 12151) 2 mfisheРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Eidgenössische Technische Hochschule Zürich
Видання зберігається у :
|
17. | РА297247сл Костенко, Віталій Леонідович. Адаптивно-регульовані комбіновані твердотільні структури та пристрої функціональної електроніки на їх основі [Текст] : автореф. дис... д-ра техн. наук: 05.27.03 / Костенко Віталій Леонідович ; Херсонський держ. технічний ун-т. - Херсон, 1997. - 42 с. Для служб. користуванняРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Херсонський державний технічний університет
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
18. | ДС55680сл Костенко, Виталий Леонидович. Адаптивно регулируемые комбинированные твердотельные структуры и устройства функциональной электроники на их основе [Текст] : дис... д- ра техн. наук: 05.27.03 / Костенко Виталий Леонидович ; Запорожская гос. инженерная академия. - Запорожье, 1997. - 306 л. Для сл. пользованияРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Запорожская государственная инженерная академия
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
19. | ДС59048 Аркуша, Юрий Васильевич. Роль контактов в повышении эффективности и предельных частот генерации диодов Ганна мм и субмм диапазонов [Текст] : дис... д-ра мед. наук : 01.04.03 / Аркуша Юрий Васильевич ; Харьковский гос. ун-т. - Х., 1998. - 301 л. - л. 282-301Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Харьковский гос. университет
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
20. | ІВ194912 Radiation resistance of GaAs-based microwave Schottky-barrier devices [Text] : some physico-technological aspects / A. Belyaev [a. o.] ; Inst. of semiconductor physics of the Nat. Acad. of sci. of Ukraine, Slovak univ. of technology. - Kyiv : Інтерпрес ЛТД, 1998. - 127 p.: ill. - Бібліогр.: p.117-127. - ISBN 966-501-024-7 Заміна описуРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Belyaev, A. E.; Breza, J.; Venger, E,F.; Vesely, M.; Yu, I...; Inst. of semiconductor physics of the Nat. Acad. of sci. of Ukraine; Slovak univ. of technology
Видання зберігається у :
|
| |