Каталоги - НБУВ Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського

Простий
пошук

Розширений
пошук

Покажчики

Професійний
пошук

Рубрикатор
НБУВ

Розподілений
пошук

Бази даних

Книжкові видання та компакт-диски - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски

Журнали та продовжувані видання

Автореферати дисертацій

Реферативна база даних

Наукова періодика України

Тематичний навігатор

Авторитетний файл імен осіб

	Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox"

Вид пошуку

у знайденому

Сортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	видом документа

Знайдено в інших БД:

Автореферати дисертацій (7)

Реферативна база даних (57)

Пошуковий запит: (<.>U=з843.33$<.>)

Загальна кількість знайдених документів : 37
Представлено документи з 1 до 20

...

ВА735056

Сычикова, Яна Александровна.

Формирование пористой структуры фосфида индия с заданными свойствами [Текст] : монография / Я. А. Сычикова, В. В. Кидалов, Г. А. Сукач. - Донецк : Юго-Восток, 2010. - 230 с. : рис. - Бібліогр.: с. 218-229. - 300 прим. - ISBN 978-966-374-583-1

Рубрикатор НБУВ:
В379.2,021
З843.33
Тематичні рубрики:
Монографії < Фізика напівпровідників >
Індій, галій та їхні сполуки

Дод. точки доступу:
Кидалов, Валерий Витальевич; Сукач, Георгий Александрович

Видання зберігається у :
Основний фонд

ДС106514

Мазницкая, Оксана Викторовна.

Усовершенствование технологии получения металлического мышьяка с пониженным содержанием кислорода для производства монокристаллов GaAs [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Мазницкая Оксана Викторовна ; Кременчугский ун-т экономики, информационных технологий и управления. - Кременчуг, 2008. - 137 л.: рис., табл. - Библиогр.: л. 118-124

Рубрикатор НБУВ:
З843.33-06
Тематичні рубрики:
Індій, галій та їхні сполуки

Дод. точки доступу:
Кременчугский университет экономики, информационных технологий и управления

Видання зберігається у :
Основний фонд

РА356046

Мазницька, Оксана Вікторівна.

Удосконалення технології отримання металічного арсену зі зниженим вмістом кисню для виробництва монокристалів GaAs [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Мазницька Оксана Вікторівна ; Кременчуцький ун-т економіки, інформаційних технологій і управління. - Кременчук, 2008. - 20 с.

Рубрикатор НБУВ:
З843.33-06
Тематичні рубрики:
Індій, галій та їхні сполуки

Дод. точки доступу:
Кременчуцький університет економіки, інформаційних технологій і управління; Кременчуцький університет економіки, інформаційних технологій і управління

Видання зберігається у :
Основний фонд

ДС108260

Шуригін, Федір Михайлович.

Технологія отримання мікрокристалів арсеніду індію стійких до дії опромінення високоенергетичними електронами [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Шуригін Федір Михайлович ; Національний ун-т "Львівська політехніка". - Л., 2008. - 124 арк. - арк. 117-121

Рубрикатор НБУВ:
В379.22,022
З843.33
Тематичні рубрики:
Дисертації < Структура напівпровідників >
Індій, галій та їхні сполуки

Дод. точки доступу:
Національний університет "Львівська політехніка" (Львів)

Видання зберігається у :
Основний фонд

РА358607

Шуригін, Федір Михайлович.

Технологія отримання мікрокристалів арсеніду індію стійких до дії опромінення високоенергетичними електронами [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Шуригін Федір Михайлович ; Національний ун-т "Львівська політехніка". - Л., 2008. - 18 с.

РА399149

Фомовський, Фелікс Володимирович.

Технології покращення деградаційної стійкості кристалів GaAs, Si та структур і приладів на їх основі [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Фомовський Фелікс Володимирович ; Кременчуц. нац. ун-т ім. Михайла Остроградського. - Кременчук, 2013. - 20 с. : рис., табл.

Рубрикатор НБУВ:
З843.332
З852-03
УДК:
621.315.5
621.38
Тематичні рубрики:
Галій та його сполуки
Матеріали для напівпровідникових приладів

Дод. точки доступу:
Кременчуцький національний університет імені Михайла Остроградського

Видання зберігається у :
Основний фонд

ДС144005

Фомовський, Фелікс Володимирович.

Технології покращення деградаційної стійкості кристалів GaAs, Si та структур і приладів на їх основі [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Фомовський Фелікс Володимирович ; Кременчуц. нац. ун-т ім. Михайла Остроградського. - Кременчук, 2013. - 131 арк. : рис., табл. - Бібліогр.: арк. 113-128.

ДС66866

Даниленко, Світлана Григорівна.

Розробка травильних композицій та технологічних процесів формування полірованих поверхонь підкладок арсеніду та антимоніду індію для приладів ІЧ-техніки [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Даниленко Світлана Григорівна ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників. - К., 2000. - 198 арк. - арк. 175-186

Рубрикатор НБУВ:
з843.33
Тематичні рубрики:
Індій, галій та їхні сполуки

Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників (Київ)

Видання зберігається у :
Основний фонд

РА310225

Даниленко, Світлана Григорівна.

Розробка травильних композицій та технологічних процесів формування полірованих поверхонь підкладок арсеніду та антимоніду індію для приладів ІЧ- техніки [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Даниленко Світлана Григорівна ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників. - К., 2000. - 15 с.

Рубрикатор НБУВ:
З843.33
Тематичні рубрики:
Індій, галій та їхні сполуки

10.

ДС152191

Лозінський, Володимир Борисович.

Розробка технологій покращення властивостей оптичних елементів на основі GaAs, діелектричних плівок та сонячних елементів з їх використанням [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Лозінський Володимир Борисович ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова. - Київ, 2013. - 146 арк. : рис., табл. - Бібліогр.: арк. 125-140.

Рубрикатор НБУВ:
З842.312
З843.332
З85-06
УДК:
621.315.59
621.38:658.51
Тематичні рубрики:
Галій та його сполуки
Технологія виробництва електронних приладів

Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова (Київ)

Видання зберігається у :
Основний фонд

11.

РА396148

Лозінський, Володимир Борисович.

Розробка технологій покращення властивостей оптичних елементів на основі GaAs, діелектричних плівок та сонячних елементів з їх використанням [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Лозінський Володимир Борисович ; Кременчуц. нац. ун-т ім. Михайла Остроградського. - Кременчук, 2013. - 19 с. : рис.

12.

РА421863

Притчин, Сергій Емільович.

Розробка технології виробництва підкладок арсеніду галію для виробів мікроелектроніки [Текст] : автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.06 / Притчин Сергій Емільович ; Харків. нац. ун-т радіоелектроніки. - Харків, 2016. - 40 с. : рис.

Рубрикатор НБУВ:
З843.332
З852-03
Тематичні рубрики:
Галій та його сполуки
Матеріали для напівпровідникових приладів

Дод. точки доступу:
Харківський національний університет радіоелектроніки

Видання зберігається у :
Основний фонд

13.

РА363778

Хозя, Павло Олександрович.

Розробка теплового вузла для вирощування монокристалів GaAs за LEC технологією зі зниженим вмістом структурних дефектів [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Хозя Павло Олександрович ; Кременчуцький ун-т економіки, інформаційних технологій і управління. - Кременчук, 2009. - 20 с.

Рубрикатор НБУВ:
В379.221 в641.0,022
З843.332
УДК:
537.311.322:538.91]:620.18
621.315.5
Тематичні рубрики:
Структурний аналіз напівпровідників
Галій та його сполуки

Дод. точки доступу:
Кременчуцький університет економіки, інформаційних технологій і управління

Видання зберігається у :
Основний фонд

14.

РА408796

Хандожко, Віктор Олександрович.

Розробка сенсорів на основі ядерного квадрупольного резонансу в моноселенідах галію та індію [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / Хандожко Віктор Олександрович ; Чернів. нац. ун-т ім. Юрія Федьковича. - Чернівці, 2014. - 20 с. : рис.

Рубрикатор НБУВ:
З843.33
З854
Тематичні рубрики:
Індій, галій та їхні сполуки
Фотоелектричні прилади.Фотоелементи

Дод. точки доступу:
Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича

Видання зберігається у :
Основний фонд

15.

ДС145894

Хозя, Павел Александрович.

Разработка теплового узла для выращивания монокристаллов GaAs по LEC технологии с пониженным содержанием структурных дефектов [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Хозя Павел Александрович ; Кременчуг. ун-т экономики, информ. технологий и упр. - Кременчуг, 2008. - 135 л. : рис., табл. - Бібліогр.: арк. 121-129.

Рубрикатор НБУВ:
В379.221 в641.0,022
З843.332
УДК:
537.311.322:538.91]:620.18
622.315.5
Тематичні рубрики:
Структурний аналіз напівпровідників
Галій та його сполуки

16.

РА342132

Журавлев, Константин Сергеевич.

Примесная люминесценция в арсениде галлия и низкоразмерных структурах на его основе [Текст] : автореф. дис... д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Журавлев Константин Сергеевич. - Новосибирск, 2006. - 35 с.

Рубрикатор НБУВ:
В379.2,022
З843.33-06
Тематичні рубрики:
Дисертації < Фізика напівпровідників >
Індій, галій та їхні сполуки

Видання зберігається у :
Основний фонд

17.

РА280777сл

Шутов, Станислав Викторович.

Получение монокристаллических слоев арсенида галлия на дешевых инородных подложках [Текст] : автореф.дис...канд.техн.наук:05.27.06 / Шутов Станислав Викторович ; Херсонский индустриальный ин-т. - Херсон, 1993. - 22 с. - Для сл.пользования

Рубрикатор НБУВ:
з843.332
В379.2
Тематичні рубрики:
Галій та його сполуки
Фізика напівпровідників

Дод. точки доступу:
Херсонский индустриальный институт

Видання зберігається у :
Основний фонд

18.

ДС40409сл

Шутов, Станислав Викторович.

Получение монокристаллических слоев арсенида галлия на дешевых инородных подложках [Текст] : дис...канд.техн.наук:05.27.06 / Шутов Станислав Викторович ; Херсонский индустриальный ин-т. - Херсон, 1993. - 136 с. - Библиогр.:с.126-136
Для сл.пользования

Рубрикатор НБУВ:
з843.332
В379.2
Тематичні рубрики:
Галій та його сполуки
Фізика напівпровідників

Дод. точки доступу:
Херсонский индустриальный институт

Видання зберігається у :
Основний фонд

19.

ДС127678

Батареев, Виктор Владимирович.

Повышение структурного совершенства монокристаллов полуизолирующего арсенида галлия, выращиваемых по методу Чохральского с жидкостной герметизацией [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Батареев Виктор Владимирович ; Кременчуг. ун-т экономики, информ. технологий и упр. - Кременчуг, 2010. - 136 л. : рис. - Бібліогр.: арк. 120-129.

Рубрикатор НБУВ:
В379.251,022
З843.33
Тематичні рубрики:
Дисертації < Фазові рівноваги. Фазові перетворення >
Індій, галій та їхні сполуки

20.

РА382237

Батареєв, Віктор Володимирович.

Підвищення структурної досконалості монокристалів напівізолюючого арсеніду галію, вирощуваних по методу Чохральс[ь]кого з рідинною герметизацією [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Батареєв Віктор Володимирович ; Кременчуц. нац. ун-т ім. М. Остроградського. - Кременчук, 2011. - 20 с.

...

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача