Пошуковий запит: (<.>U=з854.22$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 47
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
1.  |
ІВ216678
Advances in photodiodes [Text] / ed. by Gian-Franco Dalla Betta. - Rijeka : InTech, 2011. - X, 466 p. : fig., tab. - Бібліогр. в кінці ст. - ISBN 978-953-307-163-3Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Dalla Betta, Gian-Franco (ред.)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 2. |
MFI3845/1-2
Biber, Alice Irene.
Avalanche photodiode image sensing in standard silicon BICMOS technology [Text] : diss. / A. I. Biber ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 2000. - 155 p.: fig. - (Diss ETH ; 13544)
2 mfisheРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Swiss Federal institute of technology Zürich
Видання зберігається у :
|
| 3. |
ІР8267
Dąbrowski, Władysław.
Fast neutron damage of silicon pin photodiodes [Text] / Władysław Dąbrowski, Kazimierz Korbel, Andrzej Skoczeń. - Kraków : Inst. fizyki i techniki jądrowej AGH, 1990. - 26 p. : fig., tab. - (Report INT / Instytut fizyki i techniki jądrowej AGH, ISSN 0302-9034 ; 248/PS). - На тит. арк. назва парал. англ., пол., рос. - Рез.: англ., пол., рос. - Текст англ. - Бібліогр.: с. 26. - 176 прим.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Korbel, Kazimierz; Skoczeń, Andrzej
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 4. |
ДС65153
Івасів, Зіновія Федорівна.
Дослідження впливу градієнта складу і дефектів гратки на оптичні, фотоелектричні властивості та механізми переносу заряду в твердих розчинах HgCdTe і фоточутливих структурах на їх основі [Текст] : дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / Івасів Зіновія Федорівна ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників. - К., 2000. - 125 л. - л. 114-125Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 5. |
РА310217
Івасів, Зіновія Федорівна.
Дослідження впливу градієнта складу і дефектів гратки на оптичні, фотоелектричні властивості та механізми переносу заряду в твердих розчинах HgCdTe і фоточутливих структурах на їх основі [Текст] : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / Івасів Зіновія Федорівна ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників. - К., 2000. - 16 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 6. |
РА360357
Василевский, Юрий Георгиевич.
Двумерная физико-топологическая модель для численного анализа и оптимизации параметров фотодиодов на основе фосфида Индия и кремния [Текст] : автореф. дис... канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / Василевский Юрий Георгиевич ; Государственное научное учреждение "Институт физики им. Б.И.Степанова НАН Беларуси". - Минск, 2008. - 20 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Государственное научное учреждение "Институт физики имени Б. И. Степанова НАН Беларуси"
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 7. |
ДС103237
Герман, Іванна Іванівна.
Механізми переносу заряду та фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6 [Текст] : дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Герман Іванна Іванівна ; Чернівецький національний ун-т ім. Юрія Федьковича. - Чернівці, 2007. - 129 арк. - арк. 118-127Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 8. |
РА352916
Герман, Іванна Іванівна.
Механізми переносу заряду та фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6 [Текст] : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Герман Іванна Іванівна ; Чернівецький національний ун-т ім. Юрія Федьковича. - Чернівці, 2007. - 20 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 9. |
РА314530
Горбулик, Володимир Іванович.
Розробка високоефективних фотоелектричних перетворювачів на основі кремнію [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / Горбулик Володимир Іванович ; Чернівецький національний ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 2001. - 18 с.: рис.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Чернівецький національний університет імені Ю. Федьковича
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 10. |
ДС71129
Горбулик, Володимир Іванович.
Розробка високоефективних фотоелектричних перетворювачів на основі кремнію [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / Горбулик Володимир Іванович ; Чернівецький національний ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 2001. - 196 арк. - арк.158-168Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Чернівецький національний університет імені Ю. Федьковича
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 11. |
РА449071
Гуменюк-Сичевська, Жанна Віталіївна.
Оптоелектронні властивості низьковимірних структур на основі вузькощілинних напівпровідників в ІЧ та ТГц діапазонах спектру [Текст] : автореф. дис. ... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.01 / Гуменюк-Сичевська Жанна Віталіївна ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова. - Київ, 2021. - 44 с. : рис.Рубрикатор НБУВ: УДК: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 12. |
ДС78777
Данилец, Евгений Валентинович.
Позиционно-чувствительные фотоприемники на основе Si и эпитаксиальных структур CaAs (получение, свойства, применение) [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Данилец Евгений Валентинович ; Херсонский гос. технический ун-т. - Херсон, 2003. - 134 л. - Библиогр.: л. 124-134Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Херсонский государственный технический университет
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 13. |
РА324912
Данилець, Євген Валентинович.
Позиційно-чутливі фотоприймачі на основі Si і епітаксійних структур GaAs (отримання, властивості, застосування) [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Данилець Євген Валентинович ; Херсонський держ. технічний ун-т. - Херсон, 2003. - 18 с.: рис.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Херсонський державний технічний університет
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 14. |
ДС66061
Добровольський, Юрій Георгійович.
Розробка кремнієвих фотодіодів підвищеної надійності [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / Добровольський Юрій Георгійович ; Чернівецький держ. ун-т. - Чернівці, 2000. - 144 арк. - арк. 126-139Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Чернівецький державний університет
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 15. |
РА309299
Добровольський, Юрій Георгійович.
Розробка кремнієвих фотодіодів підвищеної надійності [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / Добровольський Юрій Георгійович ; Чернівецький держ. ун-т ім. Юрія Федьковича. - Чернівці, 2000. - 17 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Чернівецький державний університет імені Юрія Федьковича
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 16. |
РА398235
Зайцев, Роман Валентинович.
Застосування магнітного поля для підвищення ККД кристалічних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / Зайцев Роман Валентинович ; Нац. акад. наук України, Ін-т електрофізики і радіац. технологій. - Х., 2013. - 20 с. : рис.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут електрофізики і радіаційних технологій (Харків)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 17. |
РА378234
Кіріченко, Михайло Валерійович.
Удосконалення кремнієвих фотоелектричних перетворювачів широкомасштабного застосування та методів їх атестації [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / Кіріченко Михайло Валерійович ; Нац. акад. наук України, Ін-т електрофізики і радіац. технологій. - Х., 2011. - 18 с. : рис.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут електрофізики і радіаційних технологій (Харків)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 18. |
ДС122417
Кіріченко, Михайло Валерійович.
Удосконалення кремнієвих фотоелектричних перетворювачів широкомасштабного застосування та методів їх атестації [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / Кіріченко Михайло Валерійович ; Нац. техн. ун-т "Харк. політехн. ін-т", Каф. "Фіз. матеріалознавство для електрон. та геліоенергетики". - Х., 2011. - 258 арк. : рис. - Бібліогр.: арк. 231-247.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
"Харківський політехнічний інститут", національний технічний університет. Кафедра "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики"
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 19. |
ДС101386
Козинець, Олексій Володимирович.
Фізичні властивості кремнієвих фотоперетворювачів з вбудованими дельта- та псі- шарами [Текст] : дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Козинець Олексій Володимирович ; Київський національний ун-т ім. Тараса Шевченка. - К., 2007. - 142 арк. - арк. 131-142Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Київський національний університет імені Тараса Шевченка
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 20. |
РА352228
Козинець, Олексій Володимирович.
Фізичні властивості кремнієвих фотоперетворювачів з вбудованими дельта- та псі- шарами [Текст] : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Козинець Олексій Володимирович ; Київський національний ун-т ім. Тараса Шевченка. - К., 2007. - 20 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Київський національний університет імені Тараса Шевченка
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| | |
Простий
Розширений
Книжкові видання та компакт-диски
Пам`ятка користувача