Пошуковий запит: (<.>U=з854.22$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 47
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
1.  |
ІВ216678
Advances in photodiodes [Text] / ed. by Gian-Franco Dalla Betta. - Rijeka : InTech, 2011. - X, 466 p. : fig., tab. - Бібліогр. в кінці ст. - ISBN 978-953-307-163-3Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Dalla Betta, Gian-Franco (ред.)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 2. |
MFI3845/1-2
Biber, Alice Irene.
Avalanche photodiode image sensing in standard silicon BICMOS technology [Text] : diss. / A. I. Biber ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 2000. - 155 p.: fig. - (Diss ETH ; 13544)
2 mfisheРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Swiss Federal institute of technology Zürich
Видання зберігається у :
|
| 3. |
ІР8267
Dąbrowski, Władysław.
Fast neutron damage of silicon pin photodiodes [Text] / Władysław Dąbrowski, Kazimierz Korbel, Andrzej Skoczeń. - Kraków : Inst. fizyki i techniki jądrowej AGH, 1990. - 26 p. : fig., tab. - (Report INT / Instytut fizyki i techniki jądrowej AGH, ISSN 0302-9034 ; 248/PS). - На тит. арк. назва парал. англ., пол., рос. - Рез.: англ., пол., рос. - Текст англ. - Бібліогр.: с. 26. - 176 прим.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Korbel, Kazimierz; Skoczeń, Andrzej
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 4. |
РА350538
 Остапов, Сергій Едуардович.
Багатокомпонентні напівпровідникові тверді розчини АІІВVI та фотоприймачі на їхній основі [Текст] : автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Остапов Сергій Едуардович ; Чернівецький національний ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 2007. - 36 с.: рис.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Чернівецький національний університет імені Ю. Федьковича
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 5. |
ДС101002
Остапов, Сергій Едуардович.
Багатокомпонентні напівпровідникові тверді розчини АІІВVI та фотоприймачі на їхній основі [Текст] : дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Остапов Сергій Едуардович ; Чернівецький національний ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 2007. - 340 арк. - арк. 314-339Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Чернівецький національний університет імені Ю. Федьковича
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 6. |
ДС82729
Сидорец, Ростислав Григорьевич.
Влияние структуры базовой области и контактов на характеристики инжекционных фотодиодов [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.12.20 / Сидорец Ростислав Григорьевич ; Одесская национальная академия связи им. А.С.Попова. - О., 2004. - 200 л.: рис. - Библиогр.: л. 182-197Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Одесская национальная академия связи имени А. С. Попова
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 7. |
ДС108881
Соколовський, Ігор Олегович.
Вплив розмірних обмежень на нерівноважні процеси в фотоелектричних перетворювачах [Текст] : дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / Соколовський Ігор Олегович ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова. - К., 2008. - 165 арк. - Бібліогр.: арк. 158-165.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 8. |
РА362091
Соколовський, Ігор Олегович.
Вплив розмірних обмежень на нерівноважні процеси в фотоелектричних перетворювачах [Текст] : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Соколовський Ігор Олегович ; Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України. - К., 2008. - 18 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 9. |
РА331403
Сидорець, Ростислав Григорович.
Вплив структури базової області і контактів на характеристики інжекційних фотодіодів [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.12.20 / Р.Г.Сидорець ; Одеська національна академія зв'язку ім. О.С.Попова. - О., 2004. - 20 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Одеська національна академія зв'язку імені О. С. Попова
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 10. |
РА360357
Василевский, Юрий Георгиевич.
Двумерная физико-топологическая модель для численного анализа и оптимизации параметров фотодиодов на основе фосфида Индия и кремния [Текст] : автореф. дис... канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / Василевский Юрий Георгиевич ; Государственное научное учреждение "Институт физики им. Б.И.Степанова НАН Беларуси". - Минск, 2008. - 20 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Государственное научное учреждение "Институт физики имени Б. И. Степанова НАН Беларуси"
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 11. |
РА310217
Івасів, Зіновія Федорівна.
Дослідження впливу градієнта складу і дефектів гратки на оптичні, фотоелектричні властивості та механізми переносу заряду в твердих розчинах HgCdTe і фоточутливих структурах на їх основі [Текст] : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / Івасів Зіновія Федорівна ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників. - К., 2000. - 16 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 12. |
ДС65153
Івасів, Зіновія Федорівна.
Дослідження впливу градієнта складу і дефектів гратки на оптичні, фотоелектричні властивості та механізми переносу заряду в твердих розчинах HgCdTe і фоточутливих структурах на їх основі [Текст] : дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / Івасів Зіновія Федорівна ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників. - К., 2000. - 125 л. - л. 114-125Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 13. |
РА398235
Зайцев, Роман Валентинович.
Застосування магнітного поля для підвищення ККД кристалічних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / Зайцев Роман Валентинович ; Нац. акад. наук України, Ін-т електрофізики і радіац. технологій. - Х., 2013. - 20 с. : рис.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут електрофізики і радіаційних технологій (Харків)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 14. |
РА408545
Леонов, Володимир Олександрович.
Кінетика формування струму в молекулярному фотодіоді [Текст] : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.02 / Леонов Володимир Олександрович ; НАН України, Ін-т теорет. фізики ім. М. М. Боголюбова. - Київ, 2014. - 16 с. : рис.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут теоретичної фізики імені М. М. Боголюбова (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 15. |
РА352916
Герман, Іванна Іванівна.
Механізми переносу заряду та фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6 [Текст] : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Герман Іванна Іванівна ; Чернівецький національний ун-т ім. Юрія Федьковича. - Чернівці, 2007. - 20 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 16. |
ДС103237
Герман, Іванна Іванівна.
Механізми переносу заряду та фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6 [Текст] : дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Герман Іванна Іванівна ; Чернівецький національний ун-т ім. Юрія Федьковича. - Чернівці, 2007. - 129 арк. - арк. 118-127Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 17. |
Р92074
О перспективах использования новых кремниевых лавинных фотоприемников с локальной отрицательной обратной связью [Текст] / З. Я. Садыгов [и др.]. - Дубна : [б.и.], 2000. - 8 с.: ил. - (Препр. / Объединенный ин-т ядерных исследований ; р1-2000-194) (Сообщения ОИЯИ). - Библиогр.: с. 7Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Садыгов, З. Я.; Воеводин, М. А.; Бокова, Т. Ю.; Пиляр, Н. В.; Сайфулин, М. К.; Объединенный институт ядерных исследований
Видання зберігається у :
|
| 18. |
РА341531сл
Супрун, Жанна Михайлівна.
Оптимізація параметрів кремнієвих монокристалічних фотоперетворювачів [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / Супрун Жанна Михайлівна ; Харківський національний ун-т радіоелектроніки. - Х., 2005. - 20 с.
Для служб. користуванняРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Харківський національний університет радіоелектроніки
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 19. |
ДС90540сл
Супрун, Жанна Михайловна.
Оптимизация параметров кремниевых монокристаллических фотопреобразователей [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / Супрун Жанна Михайловна ; Харьковский национальный ун-т радиоэлектроники. - Х., 2005. - 165 л.: рис. - Библиогр.: л. 153-165
Для служеб. пользованияРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Харьковский национальный університет радиоэлектроники
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 20. |
РА449071
Гуменюк-Сичевська, Жанна Віталіївна.
Оптоелектронні властивості низьковимірних структур на основі вузькощілинних напівпровідників в ІЧ та ТГц діапазонах спектру [Текст] : автореф. дис. ... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.01 / Гуменюк-Сичевська Жанна Віталіївна ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова. - Київ, 2021. - 44 с. : рис.Рубрикатор НБУВ: УДК: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| | |
Простий
Розширений
Книжкові видання та компакт-диски
Пам`ятка користувача