Пошуковий запит: (<.>U=К345.5$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 72
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
1. | ДС44390 Нгуен Суан Нгиа Процессы эпитаксиального выращивания легированных структур на основе соединений А3В5 и исследование их характеристик [Текст] : дис...канд.техн.наук:05.27.06 / Нгуен Суан Нгиа ; НАН Украины, Ин-т физики полупроводников. - К., 1994. - 219 л. - л.:208-219Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Национальная академия наук Украины; Институт физики полупроводников (Киев)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
2. | ДС51485 Козицький, Сергій Васильович. Фізичні властивості та структура сульфіду і селеніду цинку, отриманих методом самопоширюваного високотемпературного синтезу [Текст] : дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Козицький Сергій Васильович ; Одеський держ. ун-т ім. І.І.Мечникова. - О., 1995. - 305 л.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Одеський державний университет імені І. І. Мечникова
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
3. | ДС82577 Притчин, Сергей Эмильевич. Усовершенствание технологии выращивания слитков кремния с равномерным распределением кислорода [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Притчин Сергей Эмильевич ; Институт экономики и новых технологий. - Кременчуг, 2003. - 239 л.: ил. - Библиогр.: л. 173-179Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Институт экономики и новых технологий (Кременчуг)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
4. | ДС82803 Порєв, Геннадій Володимирович. Вдосконалення методів і засобів вимірювання параметрів електронно-променевої безтигельної зонної плавки [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.11.13 / Порєв Геннадій Володимирович ; Національний технічний ун-т України "Київський політехнічний ін-т". - К., 2004. - 182 арк. - арк. 141-148Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут" (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
5. | ДС86216 Михальчук, Виктор Ильич. Разработка высокоточных устройств контроля температуры расплава и оптимизация тепловых условий при выращивании слитков кремния диаметром 150 мм [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Михальчук Виктор Ильич ; Институт экономики и новых технологий. - Кременчуг, 2004. - 174 л.: рис. - Библиогр.: л. 141-147Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Институт экономики и новых технологий (Кременчуг)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
6. | ДС88946 Рудько, Галина Юріївна. Структурні перетворення та зміни енергетичного спектру в напівпровідникових матеріалах електроніки при легуванні та пониженні розмірності [Текст] : дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Рудько Галина Юріївна ; НАН України, Ін-т напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова. - К., 2005. - 300 арк.: рис. - Бібліогр.: арк. 260-300.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
7. | ДС91890 Вашерук, Александр Васильевич. Анализ влияния тепловых условий на структурное совершенство монокристаллов кремния и разработка теплового узла для выращивания бездефектных слитков в промышленных условиях [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Вашерук Александр Васильевич ; Кременчугский ун-т экономики, информационных технологий и управления. - Кременчуг, 2006. - 139 л.: рис. - Библиогр.: л. 126-135Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Кременчугский университет экономики, информационных технологий и управления
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
8. | ДС92013 Тербан, Виктор Андреевич. Получение теллура высокой чистоты с пониженным содержанием кислорода для жидкофазной эпитаксии твердых растворов кадмий-ртуть-теллур [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Тербан Виктор Андреевич ; Кременчугский ун-т экономики, информационных технологий и управления, ОАО "Чистые металлы". - Кременчуг, 2005. - 132 л. - Библиогр.: л. 119-130Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: ОАО "Чистые металлы"; Кременчугский университет экономики, информационных технологий и управления; ОАО "Чистые металлы"
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
9. | ДС92913 Єгоров, Сергій Геннадійович. Вплив характеристик розплаву на умови кристалізації та властивості вирощуваних кристалів кремнію [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.16.03 / Єгоров Сергій Геннадійович ; Запорізька держ. інженерна академія. - Запоріжжя, 2006. - 134 арк. - арк. 106-118Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Запорізька державна інженерна академія
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
10. | ДС51946 Паранчич, Юрій Степанович. Нові напівмагнітні напівпровідники MxHg1-xSe(M-Cr,Co), одержання і їх основні властивості [Текст] : дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Паранчич Юрій Степанович ; Чернівецький держ. ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 1996. - 133 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Чернівецький державний університет імені Ю. Федьковича
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
11. | ДС62609 Урум, Галина Дмитриевна. Фотоструктурные превращения и деградационные процессы в фоточувствительных аморфных полупроводниках [Текст] : дис... канд. техн. наук:05.15.20 / Урум Галина Дмитриевна ; Украинская гос. академия связи им. А.С.Попова. - О., 1998. - 134 л.: рис. - л.125-134Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Украинская государственная академия связи имени А. С. Попова (Одесса)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
12. | ДС65628сл Порєв, Володимир Андрійович. Аналіз параметрів зони плавки за допомогою приладів з електронним розгортанням зображення [Текст] : дис... д-ра техн. наук: 05.11.13 / В.А.Порєв ; Національний технічний ун-т України "Київський політехнічний ін-т". - К., 1999. - 300 арк. - арк. 273-290 Для служб. користуванняРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут" (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
13. | ДС72395 Комарь, Виталий Корнеевич. Технологические основы выращивания кристаллов соединений AIIBVI из расплава под давлением инертного газа [Текст] : дис... д-ра техн. наук: 05.02.01 / Комарь Виталий Корнеевич ; НАН Украины, Науч.-технол. концерн "Ин-т монокристаллов", Науч.-исслед. отд-ние "Оптич. и конструкц. кристаллы". - Х., 2001. - 218 л. - Библиогр.: л. 199-218Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Национальная академия наук Украины; "Институт монокристаллов", научно-технологический концерн. "Оптические и конструкционные кристаллы", научно-исследовательское отделение
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
14. | ДС97332 Старжинский, Николай Григорьевич. Физико-технологические основы получения АIIВVI сцинтилляторов, их свойства и особенности применения [Текст] : дис... д-ра техн. наук: 05.02.01 / Старжинский Николай Григорьевич ; НАН Украины, Ин-т сцинтилляц. материалов. - Х., 2006. - 300 л.: рис., табл. - Библиогр.: л. 259-295Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Национальная академия наук Украины; Институт сцинтилляционных материалов (Харьков)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
15. | ДС98323 Баганов, Євген Олександрович. Керування умовами гетероепітаксійного росту з рідкої фази у неізоперіодній системі GaSb/InAs [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Баганов Євген Олександрович ; Херсонський національний технічний ун-т. - Херсон, 2006. - 178 арк. - арк. 146-167Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Херсонський національний технічний університет
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
16. | ДС99679 Критская, Татьяна Владимировна. Управление свойствами и разработка промышленной технологии монокристаллического кремния для электроники и солнечной энергетики [Текст] : дис... д-ра техн. наук: 05.16.03 / Критская Татьяна Владимировна ; Запорожская гос. инженерная академия. - Запорожье, 2006. - 342 л.: фотоил., рис., табл. - Библиогр.: л. 290-358Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Запорожская государственная инженерная академия
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
17. | РА288516 Герега, Олександр Миколайович. Використання перколяційних моделей у дослідженнях властивостей молекулярних систем [Текст] : автореф. дис...канд. техн. наук: 01.04.14 / Герега Олександр Миколайович ; Одеська академія харчових технологій. - О., 1995. - 15 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Одеська академія харчових технологій
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
18. | РА281031 Оскар Хосе Араика Ривера Радиационные дефекты в имплантированных слоях кремния n-типа и их воздействие на диффузию сурьмы и мышьяка [Текст] : автореф.дис.канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Оскар Хосе Араика Ривера ; Белорусский ун-т. - Минск, 1993. - 14 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Белорусский университет
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
19. | РА293663 Паранчич, Юрій Степанович. Нові напівмагнітні напівпровідники MxHg1-xSe(M-Cr,Co), одержання і їх основні властивості [Текст] : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Паранчич Юрій Степанович ; Чернівецький держ. ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 1996. - 19 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Чернівецький державний університет імені Ю. Федьковича
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
20. | РА337036 Рудько, Галина Юріївна. Структурні перетворення та зміни енергетичного спектру в напівпровідникових матеріалах електроніки при легуванні та пониженні розмірності [Текст] : автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Рудько Галина Юріївна ; Ін-т напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України. - К., 2005. - 24 с.: рис.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| |