Пошуковий запит: (<.>U=Л253.2$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 27
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. |
Карачевцева Л. А. Исследование локальных химических состояний в структурах макропористого кремния. — 2003 // Теорет. и эксперим. химия.
|
| 2. |
Novykov M. M. On the possible intensification of disintegration of a solid solution of oxygen under ultrasonic treatment of specimens of silicon. — 2005 // Укр. фіз. журн.
|
| 3. |
Мазур А. В. Влияние температуры на коэффициент термического расширения монокристалла кремния. — 2005 // Фіз.-хім. механіка матеріалів.
|
| 4. |
Литовченко В. Г. Вплив дефектів на структуру кисневих преципітатів в кристалах кремнію. — 2007 // Укр. фіз. журн.
|
| 5. |
Швец Е. Я. Технологии поликристаллического кремния для солнечных элементов. — 2007 // Металлург. и горноруд. пром-сть.
|
| 6. |
Сучасне матеріалознавство: матеріали та технології : матеріали Всеукр. конф. молодих вчен., 12 - 14 листоп. 2008 р., Київ. — К., 2009. — 306 с. - (Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: зб. наук. пр.; Т. 7, вип. 4).
|
| 7. |
Гасик М. И. Электротермия кремния (физиохимия, технология). — Д.: Нац. металлург. акад. Украины, 2011
|
| 8. |
Мельников Б. И. Определение области устойчивого образования золя диоксида кремния при серно-кислотном осаждении. — 2006 // Пр. Одес. політехн. ун-ту.
|
| 9. |
Реков Ю. В. Оптимизация процесса выращивания кремниевых основ для производства поликристаллического кремния. — 2011 // Вост.-Европ. журн. передовых технологий.
|
| 10. |
Trubitsyn Yu. V. Specificity of high-pure monocrystalline silicon production for various registering and converting devices // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 2.
|
| 11. |
Богомолов В. А. Капсулирование кварцевого песка пироуглеродом в электротермическом псевдоожиженном слое // Энерготехнологии и ресурсосбережение. - 2013. - № 5.
|
| 12. |
Сімейко К. В. Теплові характеристики реактора для одержання капсульованого піровуглецем кварцового піску при проходженні процесу піролізу метану // Вісн. Сум. держ. ун-ту. Сер. Техн. науки. - 2013. - № 4.
|
| 13. |
Сімейко К. В. Теплотехнічні та аеродинамічні характеристики реактора для піролізу вуглеводневих газів // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". - 2014. - № 792.
|
| 14. |
Критская Т. В. Современные тенденции получения кремния для устройств электроники : монография. — Запорожье: ЗГИА, 2013
|
| 15. |
Шварцман Л. Я. Оценка способов измерения скорости осаждения кремния, как условия обеспечения адекватности модели для управления Siemens-Реактором // Систем. технології. - 2015. - № 4.
|
| 16. |
Туркевич В. З. Термодинамічний розрахунок діаграми стану системи Si - C при тисках до 8 ГПа // Сверхтвердые материалы. - 2016. - № 2.
|
| 17. |
Karachevtseva L. A. Relaxation of excess minority carrier distribution in macroporous silicon // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2018. - 9, № 2.
|
| 18. |
Оленич І. Б. Фотолюмінесцентні й електретні властивості гібридних структур поруватий кремній/[N(CH3)4]2МеCl4 (Ме = Zn, Cu) // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології : зб. наук. пр. - 2018. - 16, вип. 4.
|
| 19. |
Онищенко В. Ф. Релаксація фотопровідності у макропористому кремнії // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
|
| 20. |
Карась Н. И. Монополярная фотопроводимость инверсионного слоя и "медленные" поверхностные уровни в структурах макропористого и монокристаллического кремния в условиях сильного поверхностного поглощения света // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53.
|
| | |
НОВІ
ПОШУК
Книжкові видання та компакт-диски
