РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнявидом документа
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (5)Наукова періодика України (9)
Пошуковий запит: (<.>A=Стороженко И$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 28
Представлено документи з 1 до 20
...
1.

Аркуша Ю. В. Пути развития приборов с междолинным переносом электронов. — 2001 // Вісн. Харк. нац. ун-ту ім. В.Н. Каразіна.
2.

Вахрушева В. С. Влияние бора на формирование структуры и свойств коррозионностойкой стали на основе аустенита. — 1998 // Металлург. и горноруд. пром-сть.
3.

Стороженко И. П. Вольтамперные характеристики диодов Ганна с двумя активными областями и гетеропереходом. — 2001 // Вісн. Харк. нац. ун-ту ім. В.Н. Каразіна.
4.

Стороженко И. П. Варизонные <$Eroman In P sub 1-x(z) As sub x(z) >диоды Ганна с различными катодными контактами. — 2006 // Радиофизика и электроника.
5.

Стороженко И. П. Особенности возникновения и дрейфа волн объёмного заряда в приборах с междолинным переносом электронов на основе варизонного <$Ebold { roman GaP} sub x(z) { roman As} sub {1~-~x(z) }>. — 2007 // Радиофизика и электроника.
6.

Боцула О. В. Резонансно-туннельный катод к диоду Ганна. — 2007 // Радиофизика и электроника.
7.

Стороженко И. П. Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с <$Ebold {{ roman Al} sub x { roman Ga} sub {1~-~x } roman As}> и <$Ebold {{ roman GaP} sub x { roman As} sub {1~-~x } }> катодами. — 2007 // Радиофизика и электроника.
8.

Аркуша Ю. В. Диод Ганна с индуцированным каналом в активной области. — 2002 // Радиофизика и радиоастрономия.
9.

Стороженко И. П. Моделирование диодов Ганна на основе варизонных полупроводников. — 2003 // Радиофизика и электроника.
10.

Аркуша Ю. В. О работе диода Ганна с двумя InP0,7As0,3 - In0,4Ga0,6As активными областями. — 2003 // Радиофизика и электроника.
11.

Аркуша Ю. В. Энергетические и частотные характеристики диодов Ганна на основе тройных полупроводников A3B5 с линейно изменяющимся составом в активной зоне. — 2004 // Радиофизика и электроника.
12.

Аркуша Ю. В. In0,4Ga0,6As диоды Ганна с m-n:InP1-xAsx катодом. — 2001 // Радиофизика и электроника.
13.

Аркуша Ю. В. Влияние металлического контакта к запорному <$E bold {{roman In} sub x {roman Ga} sub 1-x roman {As~-~GaAs}}>-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна. — 2004 // Радиофизика и радиоастрономия.
14.

Стороженко И. П. Диоды Ганна на основе варизонного <$E bold {{roman Al} sub x(z) {roman Ga} sub 1-x(z) roman As}> с различными катодными контактами. — 2006 // Радиофизика и радиоастрономия.
15.

Стороженко И. П. GaAs диоды Ганна с AlAs - GaAs - AlAs резонансно туннельным катодом. — 2006 // Радиофизика и радиоастрономия.
16.

Стороженко И. П. Роль рассеяния электронов на нейтральных примесях и сплавном потенциале в формировании волн пространственного заряда в приборах с междолинным переносом электронов. — 2008 // Радиофизика и электроника.
17.

Стороженко И. П. О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs. — 2011 // Радиофизика и электроника.
18.

Стороженко И. П. Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN. — 2011 // Радиофизика и электроника.
19.

Аркуша Ю. В. Энергетические и частотные характеристики диодов Ганна на основе Al1-xInxN при их работе в резонаторе сложной формы. — 2010 // Вісн. Харк. нац. ун-ту. Радіофізика та електроніка.
20.

Прохоров Э. Д. Эффективность генерации диодов с резонансно-туннельными границами в "сэндвич"-варианте. — 2012 // Радиофизика и электроника.
...
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського