Досліджено формування підсистеми дефектів структури під час вирощування, легування, опромінення, термічного відпалу та його впливу на електричні властивості тонких напівпровідникових плівок сполук IV - VI зі структурою типу NaCl експериментальними, теоретичними та методами комп'ютерного моделювання процесів. Для моделювання методом молекулярної динаміки кристалів та їх дефектної підсистеми однозначно вибрано потенціал міжатомної взаємодії з використанням запропонованого безрозмірного параметра. Встановлено, що кластери бінарної сполуки з протилежно зарядженими йонами набувають структури типу NaCl. Розраховано рівновагові концентрації дефектів у плівках PbSe, <$Eroman {Pb sub {1-x} Sn sub x Te} >, PbTe:In і PbTe:Ga за апріорними сталими рівноваги квазіхімічних реакцій, взятих з зонної теорії. У межах моделі захоплення рухливих міжвузловинних атомів на пастки пояснено потокові залежності електричних властивостей в <$Ealpha>-опромінених полікристалічних плівках p-PbSe, досліджено температурні залежності електричних властивостей опромінених монокристалічних плівок n-PbSe. У наближенні теорії кінетики квазіхімічних реакцій визначено характерні часи й енергії активації процесів міграції дефектів під час ізотермічного відпалу на повітрі в полікристалічних плівках n-PbTe. За допомогою дифузійної кінетики пояснено неоднорідність розподілу концентрації дефектів в ізотермічно відпалених у вакуумі плівках p-PbS. Для обгрунтування розмірних ефектів запропоновано електротехнічну модель плівки.

Досліджено нерівноважні носії заряду та їх розподіл у структурах макропористого кремнію (МПК) на монокристалічній кремнієвій підкладці. Встановлено, що у разі збільшення концентрації та об'ємної частки макропор ефективна провідність структур МПК зменшується. Враховано розмірний ефект: зменшення товщини області просторового заряду за умов зменшення діаметра макропор. Аналітично розраховано ефективний час життя фотоносіїв у структурах МПК, що залежить від часу життя фотоносіїв в об'ємному монокристалічному кремнії та часу життя фотоносіїв на поверхні макропор. Обернена величина часу життя нерівноважних носіїв заряду на поверхні макропор знаходиться як добуток швидкості поверхневої рекомбінації на відношення площі макропор до об'єму кремнієвої матриці. Виявлено, що відносна фотопровідність визначається рекомбінаційними процесами на поверхні макропор і досягає максимуму за відстані між краями макропор, яка дорівнює товщині двох шарів Шотткі. Максимуми фотопровідності виміряні також при падінні світла під кутами 0° та 20 - 30° до поверхні структур МПК внаслідок формування відповідно направлених оптичних мод і поверхневих хвиль. Час релаксації фотопровідності структур МПК визначається бар'єрним механізмом, а її релаксація відбувається за логарифмічним законом. У структурах МПК була виміряна фотоерс від'ємного знаку для енергій фотонів, сумірних з енергією непрямого зона-зонного переходу. Встановлено, що зміна позитивного знаку фотоерс на від'ємний визначається фотопереходами через поверхневі стани, близькі до зони провідності кремнію, а також багатоступінчастою тунельною рекомбінацією рівноважних електронів у кремнієвій матриці зі збудженими освітленням дірками на поверхні макропор.