Теоретично та експериментально досліджено епітаксійні плівки Hg_{1 - x}Cd_xTe з градієнтом складу та діодні структури на їх основі. Показано можливість визначення величини градієнта (внутрішнього електричного поля) і вигляду залежності ширини забороненої зони від товщини плівки з вимірів оптичного пропускання. Досліджено трансформацію спектрів фотоструму в епітаксійних шарах Hg_{1 - x}Cd_xTe та фотодіодах на їх основі, спричинену градієнтом складу. Досліджено темновий струм і спектри шуму в фотодіодах у випадку нульового та малих зворотних зміщень U <= 0,1 В. Доведено, що 1/f шум корелює з тунельним струмом через глибокі дефектні стани в забороненій зоні.

Досліджено характер поперечних і поздовжніх розподілів домішки рідкісноземельного елемента європію у кристалічних зливках PbTe, вирощених з легованих розплавів за малих доз легування, та встановлено його залежність від концентрації легуючого елемента. У широкому діапазоні магнітних полів досліджено польові залежності намагніченості кристалів PbTe, легованих малими дозами домішки європію. У широкому діапазоні температур від кріогенних до кімнатних вивчено температурні залежності магнітної сприйнятливості кристалів PbTe, легованих малими дозами домішки європію. Здійснено теоретичну обробку польових залежностей намагніченості та температурних залежностей магнітної сприйнятливості легованих кристалів PbTe:Eu щодо встановлення механізмів формування їх магнітних властивостей і пошуку кореляцій цих властивостей з величиною дози легуючого елемента.

Вперше забезпечено підвищення чутливості радіоспектрометра НВЧ діапазону для досліджень спектрів електронного парамагнітного резонансу (ЕПР) зразків з високою провідністю за рахунок збудження резонансу на "поршневій" хвилі в зазорі "стінка резонатора - зразок", що приводить до концентрації магнітної компоненти НВЧ поля на поверхні зразка. Для кристалів HgSe:Fе в інтервалі температур 77К <Т<300 К встановлено немонотонний вигляд концентраційних і температурних залежностей ширини ліній ЕПР і g-фактору та показано, що: наявність максимуму на температурних залежностях ширини ліній ЕПР і g-фактору обумовлено формуванням зарядового упорядкування іонізованих донорів, а наявність максимуму на концентраційної залежності ширини ліній ЕПР обумовлено явищем гібридизації електронних станів в зоні провідності кристала. Визначено критичну концентрацію домішок заліза в кристалах HgSe:Fе, за якої відбувається різке збільшення температури Кюрі - Вейса, що обумовлено спонтанною спіновою поляризацією системи гібридизованих електронних станів. Для нового напівмагнітного напівпровідника HgCdCrSe виявлено перехід в фазу феромагнітного упорядкування, яке виникає в результаті обмінної s-d взаємодії в чотирикомпонентних кластерах HgCdSe, які розташовуються в немагнітній матриці HgCdCrSe. Експериментально встановлено нелінійну ділянку вольт-амперної характеристики нової гетероструктури HgCdCrSe/HgMnTe, яка може свідчити про протікання в ній спін-поляризованого струму.

Уперше виявлено та досліджено нові парамагнітні центри (ПЦ) (<$Eroman {Fe sup 3+ ,~Fe sup + ,~Cu sup 2+ ,~Ti sup 3+ ,~Ni sup 3+ ~Cr sup 3+ ,~Cr sup 5+ }>) у номінально чистому та легованому віртуальному сегнетоелектриках <$Eroman KTaO sub 3> і <$Eroman K sub {1~-~x } roman Li sub x roman TaO sub 3 }>, <$Eroman KTa sub {1~-~x } roman Nb sub x roman O sub 3> запропоновано та обгрунтовано моделі цих центрів. Уперше виміряно та інтерпретовано спектри подвійного електронно-ядерного резонансу у <$Eroman KTaO sub 3>, легованому залізом. Визначено параметри супернадтонкої та квадрупольної взаємодії ядер Ta парамагнітними іонами <$Eroman Fe sup 3+>. Виявлено механізм розширення ліній електронного парамагнітного резонансу (ЕПР) у сегнетоелектриках, спричинений ефектом Штарка другого порядку. За методом ЕПР у номінально чистому монокристалі <$Eroman PbTiO sub 3> високої якості <$EDELTA roman H> ~ 0,0001T виявлено та уточнено локальну симетрію та параметри ПЦ (<$Eroman {Fe sup 3+ ,~Ni sup 3+ ,~Mn sup 4+ }>). Установлено та досліджено фотоіндуковані ПЦ <$Eroman {Ni sup 3+ ,~Ti sup 3+ ~-~V sub O }> - A [Pb] (<$Eroman {V sub O }> - вакансія кисню, A[Pb] - вакансія або домішка на місці свинцю). Визначено параметри констант кристалічного поля ПЦ <$Eroman Cr sup 5+> у <$Eroman PbTiO sub 3>, легованому хромом. Пояснено аномалію (<$Eroman {T~ symbol Ы ~170~K}>) зниження симетрії гратки до орторомбічної, що спостерігалась раніше. Уперше на підставі даних ЕПР чотирьох парамагнітних центрів <$Eroman Gd sup 3+> у <$Eroman PbZrO sub 3> показано, що єдиною умовою існування є подвійна періодичність площин PbO, та з'ясовано антисегнетоелектричну природу

Наведено результати дослідження властивостей кристалів і епітаксійних структур вузькощілинного p-Hg1 - xCdxTe, зокрема, структури акцепторної зони. Узгоджено параметри зонної структури Hg1 - xCdxTe і показано, що зона важких дірок за малих енергій істотно непараболічна. Розроблено прецизійний оптичний метод роздільного вимірювання концентрації електронів і дірок за кімнатної температури. Визначено константи рівноваги власних дефектів і механізми їх взаємодії за низьких температур. Досліджено електрофізичні та фотоелектричні властивості легованих кристалів n- і p-типу за температури 77 К, особливості стрибкової та металічної провідності, будову акцепторної зони кристалів p-Hg1 - xCdxTe. Вивчено взаємовплив підкладки й епітаксійного шару Hg1 - xCdxTe. Запропоновано новий напрямок застосування варізонних структур p-Hg1 - xCdxTe.

Досліджено процеси впровадження водню в шаруваті кристали, його стан і локалізацію в кристалічній гратці в залежності від кількості впровадженого водню. Встановлено та пояснено концентраційні залежності положення основного екситонного максимуму та напівширини екситонної смуги поглинання водневих, барієвих та йодних інтеркалатів InSe та GaSe. Експериментально показано можливість використання кристалів InSe та GaSe в якості матеріалів для зберігання водню та встановлено концентраційну залежність оборотності впровадження водню у відсотках. Розроблено методику одержання нанорозмірних шаруватих кристалів InSe та GaSe ультразвуковим диспергуванням. Визначено залежність розмірів одержаних наночасток від природи диспергуючого середовища.

Показано, що декорування дислокацій точковими дефектами в кристалах CdS приводить до розмиття краю фундаментального поглинання внаслідок формування хвостів густини станів у придислокаційних областях. Встановлено, що цей ефект проявляється в зміні форми спектра крайової люмінесценції і процесах деградації лазерів з електронним збудженням. Виявлено ефект безактиваційного збирання донорів на дислокації під дією імпульсного ультразвуку. Доводиться, що фотостимульоване утворення дрібних донорів в об'ємі кристалів CdS обумовлено розпадом кластерів атомів кадмію. Ідентифіковано смуги люмінесценції, пов'язані з макродефектами, в епітаксійних шарах ZnTe/GaAs і ZnSe/GaAs. Встановлено, що приповерхнева область цих шарів містить підвищену концентрацію лінійних і точкових дефектів.

Досліджено процеси дефектоутворення у кристалах на основі CdTe та їх вплив на властивості матеріалу. З використанням методу вимірювання високотемпературного ефекту Холла вперше досліджено часові залежності електричних параметрів кристалів як функцію умов термообробки в процесі її проведення та швидкості зміни температури в ході циклів нагріву-охолодження. Вивчено спектр точкових дефектів, виконано дослідження високотемпературних властивостей слаболегованого та низькотемпературних властивостей сильнолегованого індієм CdTe, що заповнює істотні прогалини в його матеріалознавстві. Визначено оптимальну концентрацію легуючої домішки індію в кристалах CdTe, що дозволяє одержати матеріал з високим опором. Запропоновано модель ансамблю точкових дефектів у кристалах CdTe:In за високих і кімнатних температур, яка надає можливість створити матеріал з низькою концентрацією носіїв заряду. Розроблено відтворювані рецептури двостадійного відпалу зразків CdTe:In для одержання структурно досконалого високоомного матеріалу без видимих у ІЧ мікроскоп включень 2-ї фази. Вперше грунтовно досліджено високотемпературні та низькотемпературні вимірювання CdTe, сильнолегованого бромом, під тиском пари кадмію та телуру. Одержані для обох донорних домішок результати пояснюються в межах уявлень про домішкову самокомпенсацію індію чи брому.

Досліджено екситонні властивості наноструктур на базі напівмагнітних напівпровідників. Розраховано магнітну залежність основного та першого збудженого екситонних рівнів у напівмагнітних квантових ямах і квантових дротах. Показано, що розщеплення екситонних рівнів у зовнішньому магнітному полі у квантовому дроті значно перевищує відповідне розщеплення у квантовій ямі. Досліджено розсіяння екситонів на флуктуаціях концентрації та проекції спінів магнітних домішок, яке призводить до значного розширення екситонних смуг у квантових ямах з напівмагнітних напівпровідників. Встановлено, що ширина смуг істотно залежить від зовнішнього магнітного поля, причому характер залежності різний для sigma^-- та sigma⁺-компонент екситонного переходу. Зростання напруженості поля призводить до розширення смуг sigma^--переходу та звуження смуг sigma⁺-переходу. Запропоновано модель для розрахунку парамагнітного посилення гігантського спінового розщеплення екситонних станів у квантових ямах Cd_{1 - x}Mn_xTe/CdTe/Cd_{1 - x}Mn_xTe.

Досліджено електронні явища, що виникають у разі взаємодії низькоенергетичних атомних частинок з широкозонними твердими тілами, що знаходяться в основному чи електронно-збудженому метастабільному стані під дією УФ випромінення. Встановлено, що попереднє збудження УФ світлом зразків ZnS і ZnS•CdS-Ag за Т≤250К і Т≤200К призводить до збільшення швидкості акомодації енергії гетерогенної рекомбінації атомів Н за електронним каналом на 5 і 3 порядки величини, відповідно, у порівнянні з неопроміненими УФ світлом зразками. Знайдено, що на електронно-збуджених цинксульфідах ZnS-Tm; ZnS; ZnS•CdS-Ag і силікаті Zn₂SiO₄-Mn, що знаходяться під дією атомів Н, може змінюватися співвідношення швидкостей реакційних зіткнень атомів Н за ударним Ріділа-Ілі та дифузійним Ленгмюра-Хіншелвуда механізмами. Розроблено принцип побудови надчутливого твердотільного хемілюмінесцентного сенсора для вимірювання концентрації атомів Н у діапазоні n_H = 10²÷10⁸ см10^-3, що базується на попередньому опроміненні УФ світлом ZnS•CdS-Ag і подальшому його електронному збудженні в актах зіткнень із атомними частинками з двох незалежних потоків різної щільності: еталонного та невідомого, на базі якого створено дослідний зразок.

Показано, що непараболічність дисперсійного співвідношення у кристалах із структурою вюрциту та халькопіриту приводить до змін залежностей термодинамічних функцій. В області низьких температур змінюється величина та характер залежностей концентрації дірок валентних підзон. Встановлено, що нижня спін-відщеплена зона Г ₇ ⁺ кристалів р-CdSe практично не впливає на величини сумарних концентрацій та рухливостей дірок, тоді як внесок зони Г ₇ ^- у ці величини помітний та зростає зі збільшенням температури. Зазначено, що у кристалах p-CuInSe ₂ врахування в теоретичних розрахунках лінійного за k доданка в законі дисперсії носіїв Е(k) приводить до ізотропії компонент тензора термоЕРС. Для верхніх Г ₆ ^- та Г ₇ ⁺ валентних зон p-CuInSe ₂ оцінено величини коефіцієнтів C _A,B і компонент ефективних мас носіїв m _+,ІІ ^A,B,C у всіх трьох валентних нідзонах даного напівпровідника, які приводять до задовільного узгодження розрахункових і дослідних температурних залежностей кінетичних коефіцієнтів.

З метою визначення впливу технологічних факторів на електрофізичні властивості плівок халькогенідів свинцю PbX (X = S, Se, Te), вирощених з парової фази методом гарячої стінки, запропоновано загальну модель розупорядкування металічної підгратки за механізмом Френкеля з одночасним утворенням різних зарядових станів точкових дефектів - від електронейтральних до двократно заряджених вакансій і міжвузловинних атомів. Показано, що для кількісного узгодження з дослідом необхідно також враховувати внутрішні напруження у плівці і тип підкладок. Досліджено утворення металічної фази під час синтезу плівок методом гарячої стінки та наведено квазіхімічне пояснення механізму даного явища. Розглянуто неоднорідності електричних параметрів за товщиною (їх профілі) у тонких плівках халькогенідів свинцю під час їх вирощування з парової фази, які пов'язані з процесами фракціювання наважки, а також у разі відпалу у вакуумі й атмосфері кисню. Зазначено, що за даних умов мають місце процеси амбіполярної дифузії вакансій халькогену й електронів, а також кисню за міжзеренних границь. Проаналізовано експериментальні дані та результати квазіхімічних і термодинамічних розрахунків залежності концентрації носіїв струму (<$Eroman {n sub H }>) і атомних дефектів у плівках від температури осадження (<$Eroman {T sub S }>), додаткового джерела зі свинцем (<$Eroman {T sub Pb }>), вмісту талію (<$Eroman {N sub Tl }>) для (<$Eroman {PbTe~<<~Pb~>>~:~Tl,~PbSe~<<~Pb~>>~:~Tl}>), а також температур додаткових джерел телуру (<$Eroman {T sub Te }>) та індію (<$Eroman {T sub In }>) для (<$Eroman {PbTe~<<~Te~>>~:~In}>).

Досліджено дефектну структуру (ДС) бездомішкових та легованих галогенами (ЛГ) (Cl, Br, I) кристалів кадмій телуриду та її вплив на формування фізико-хімічних властивостей матеріалу залежно від технологічних факторів післяростового двотемпературного відпалу у парі кадмію та телуру. Розроблено моделі ДС та модифіковано метод термодинамічних потенціалів для визначення концентрацій точкових дефектів (ТД) та вільних носіїв заряду у кристалах. Досліджено утворення всіх типів власних ТД (<$Eroman V sub Cd> <$Eroman Cd sub i>, <$Eroman V sub Te>, <$Eroman Te sub i>, <$Eroman Cd sub Te>, <$Eroman Te sub Cd>, кожен з яких перебуває у трьох зарядових станах: 0, <$Eroman symbol С>1, <$Eroman symbol С>2 та домішкових дефектів і їх комплексів. Зазначено, що комп'ютерна реалізація числового методу розрахунку зводить задачу моделювання ДС до визначення енергетичних параметрів (ЕП) ТД - енергії утворення, іонізації та зміни частоти коливань атомів біля дефектів. Визначено ЕП власних та домішкових ТД та їх комплексів, вплив домішки галогенів на фізико-хімічні властивості CdTe, максимальні розчинності галогенів у матриці CdTe і термодинамічні параметри їх впровадження в гратку. Встановлено типи та концентрації домінуючих ТД, що визначають електричні властивості бездомішкових та ЛГ (Cl, Br, I) кристалів.

Комплексно досліджено вплив амфотерної домішки олова на фізичні властивості широкозонних II - VI сполук - перспективних матеріалів функціональної електроніки. Установлено, що домішка олова в селеніді цинку призводить до суттєвого збільшення електронної провідності (<$Esigma sub n ~ symbol Ы ~1~ roman {Ом~ sup -1 ~ cdot ~ см sup -1 }>) і ефективності блакитної смуги люмінесценції (<$Eeta ~ symbol Ы ~5~ symbol Ш ~10~%>) за 300 К. Показано, що дана смуга є суперпропозицією трьох каналів випромінювальної рекомбінації, зумовлених анігіляцією трьох каналів випромінювальної рекомбінації, зумовлених анігіляцією вільних екситонів, міжзонною рекомбінацією та переходами за участі акцепторних центрів типу <$ESn sub Se prime>. Показано, що дифузія олова за певних умов переводить телурид кадмію у напівізолювальний стан незалежно від типу та величини провідності базових підкладинок. Одержано дифузійні шари ZnTe:Sn з високою електронною провідністю <$Esigma sub n ~ symbol Ы ~10~ roman {Ом~ sup -1 ~ cdot ~ см sup -1 }> за 300 К, яка контролюється донорними центрами <$Eroman {Sn sup { symbol Ч } sub Zn }> з глибиною залягання ~0,26 еВ.

На підставі результатів рентгеноструктурних, магнітних, електричних і оптичних вимірювань властивостей кристалів <$Eroman {Hg sub 3 In sub 2 Te sub 6 }>, легованих Fe, Mn, Cr, Gd, Si, Sn, Cu до концентрації <$E10 sup 18 ~ symbol Ш ~10 sup 20 ~ roman см sup -3> установлено, що домішки створюють у них характерні внутрішні поля, напруженість яких збільшується з ростом вмісту домішки. Досліджено, що випадковий характер цих полів призводить до великомасштабних флуктуацій потенціалу, які визначають особливості електричних і оптичних властивостей матеріалу. Показано, що квазівласний характер провідності зумовлюється перенесенням електронів і дірок за відповідних рівнів протікання. Установлено, що причиною ефекту самокомпенсації домішок і стабілізації рівня Фермі поблизу середини забороненої зони є виникнення за умов легування двох систем рівнів протилежно заряджених локалізованих центрів донорного та акцепторного типу. Зроблено висновок, що спостережені явища (розмиття країв зон провідності та валентної з утворенням хвостів щільності станів, зміна показника заломлення, діелектричної проникності та поляризаційних констант) пов'язані з додатковим розупорядкуванням, яке супроводжується деформацією решітки та більш сильною локалізацією електронів. Установлено закономірності цілеспрямованого керування оптичними та діелектричними властивостями, що розширює можливості практичного використання матеріалу <$Eroman {Hg sub 3 In sub 2 Te sub 6 }>.

До захисту додається 13 наукових робіт, в яких приводяться результати дослідження впливу імпульсів випромінювання рубінового лазера тривалістю 20 нс на дефективну структуру монокристалів CdTe n- і p-типу, плівок CdTe і твердих розчинів на його основі. Вивчено зміни фотоелектричних, фотолюмінесцентних, структурних і електричних властивостей, обумовлені модифікацією системи точкових дефектів при лазерному опроміненні. вказані можливі шляхи оптимізації фотоелектричних характеристик монокристалів CdTe і твердих розчинів на його основі методом наносекундної лазерної обробки. Вперше спостерігалася зміна провідності кристалів p-CdTe під дією ударних хвиль, що утворилися від імпульсу випромінювання лазера.

Досліджено кристали <$Eroman {Li sub 2 B sub 4 O sub 7 }> (LB4) різного ізотопічного складу та кристалів, легованих іонами калію, срібла та міді з використанням методів оптичної спектрометрії в інтервалі температур 290 K - 1 040 K. За результатами аналізу спектрів комбінаційного розсіяння світла (КРС) ізотопічнозаміщених кристалів та напівемпіричних розрахунків визначено область коливань за участю іонів літію, установлено природу широкої смуги в області <$E1~300~ roman {см sup -1 ~-~1~450~см sup -1 }>, проведено ідентифікацію більшості коливань. За методами спектроскопії КРС та інфрачервоного відбиття встановлено, що іони <$Eroman {K sup + ~Ag sup + }> є домішками заміщення. Зроблено припущення про розташування іонів міді у міжвузлях. Перевірено гіпотезу щодо плазмової природи низькочастотних ліній КРС. Виявлені в інтервалі температур 750 K - 800 K аномалії температурних залежностей параметрів коливань за участі іонів <$Eroman Li sup +> і характеристик лінійного та нелінійного пружного та квазіпружного розсіяння світла зумовлені переходом літієвої підгратки до повністю розупорядкованого стану. Механізм цього переходу подібний до розмитого фазового переходу типу порядок - безладдя. Установлено метастабільність стану літієвої підгратки та її чутливість до наявності домішок.

Проведено експериментальні дослідження низькотемпературної ( ~ 5 К) фотолюмінесценції тонких плівок C₆₀, які підтвердили сильний вплив морфології зразків на вигляд і структуру спектрів люмінесценції. Вперше встановлено, що деформації різного профілю приводять до підвищення концентрації центрів локалізації для екситонів Френкеля в кристалах фулериту C₆₀. З'ясовано, що смуги 1,79 еВ і 1,76 еВ у короткохвильовій частині спектра відповідають випромінюванню екситонів Френкеля, захоплених на X-пастках, індукованих структурними дефектами на поверхні кристалів, а енергія активації синглетних екситонів з X-пасток з енергіями 1,79 еВ і 1,76 еВ становить 40 меВ і 60 меВ відповідно. Вперше експериментально встановлено сильний вплив домішки гелію на співвідношення пентагонної та гексагонної орієнтацій молекул в інтеркальованому фулериті C₆₀, що перешкоджає формуванню центрів локалізації екситонів Френкеля. Кріогенні експерименти з дослідження спектрально-люмінесцентних властивостей фулериту C₆₀ з різною концентрацією домішки молекулярного водню дозволили вперше встановити, що механізм гасіння люмінесценції фулериту C₆₀ вище температури склування (Tg) пов'язаний з порушенням когерентності тунельного транспорту екситонів; зсув спектру (тип А) фотолюмінесценції твердих розчинів C₆₀ + Н₂ в область низьких енергій пов'язаний з виникненням міжмолекулярної взаємодії в системі домішка - матриця; температура початку гасіння люмінесценції твердих розчинів C₆₀ + Н₂ залежить від імовірності заповнення октаедричних порожнин двома молекулами водню. Експериментально виявлено зростання температури склування (Tg) фулериту C₆₀ (близько 40 %), пов'язане зі збільшенням концентрації октаедричних порожнин, заповнених двома молекулами водню.

Досліджено фізичні властивості домішкових і дефектних центрів у 6H, 4H та 3C SiC методами високочастоного/високопольового (ВЧ/ВП) електронного парамагнітного резонансу (ЕПР) і подвійного електронного ядерного резонансу (ПЕЯР). На основі вивчення ВЧ/ВП спектрів ЕПР і ПЕЯР донорів азоту, їх температурних закономірностей і концентраційної поведінки визначено електронну структуру, енергетичні характеристики та тип вузла, який заміщує донори азоту в 6H та 4H-SiC. Проаналізовано низькотемпературний стрибковий механізм делокалізації електронів в 4H та 6H SiC, сильно легованих азотом. Досліджено дві групи спектрів ЕПР і ПЕЯР фосфору в 6H SiC, що відрізняються величиною та характером надтонкої взаємодії (НТВ). Обгрунтовано модель центрів фосфору та їх енергетичні характеристики. Вивчено спектри ЕПР бору на частоті 140 ГГц у 6H, 4H та 3C SiC від 4.2 до 100 К. Одержано дані про напрямки головних осей g-тензорів, а також тензорів НТВ та частотної залежності температури, за якої симетрія спектра ЕПР бору змінюється від моноклінної до аксіальної, що узгоджуються з моделлю бору, в якій неспарована дірка локалізована на найближчому атомі вуглецю <$Eroman {B sub Si -C sup + }>, а в оточенні атомів бору існує релаксація гратки. Виявлено відмінність у механізмі дефектоутворення в 6H та 4H-SiC з порушеним стехіометричним складом. Досліджено рекомбінаційні процеси, які відбуваються у напівізолюючому матеріалі 4H-SiC під час фотозбудження. Встановлено, що дефектом, який відповідає за час життя неосновних носіїв заряду в напівізолюючому 4H SiC є вакансія кремнію в зарядовому стані 3- донорного характеру.

Досліджено електрично активні дефекти та поляризаційні процеси, які спричинюють термоактиваційну спектроскопію у Bi12SiO20:Cr, Bi12SiO20:Mn. Виявлено, що легування іонами Cr та Mn призводить до появи нових піків струму термостимульованої деполяризації (ТСД), у порівнянні з нелегованим Bi12SiO20 і забезпечує підсилення термо- та фотоелектретного зарядів. Визначено параметри електрично активних дефектів. Одержано температурні залежності інтенсивності максимумів піків струму ТСД від умов попередньої поляризації (температури поляризації та напруженості поля поляризації) у випадках, коли порядок кінетики релаксації електрично активних дефектів перевищує одиницю. Для кожного піку ТСД у кристалах Bi12SiO20:Cr, Bi12SiO20:Mn ідентифіковано об'ємно-зарядовий або квазідипольний механізми поляризації. Встановлено, що більшість піків має квазідипольну природу. Вперше досліджено вплив попередньої термообробки (відпалу) кристалів Bi12SiO20:Cr, Bi12SiO20:Mn на спектри струмів ТСД у температурному діапазоні 300 - 823 K. Виявлено значний вплив процесів асоціації та дисоціації електрично активних дефектів на формування тармоелектронного стану (ТЕС) у кристалах BSO:Cr, BSO:Mn. У діапазоні частот 10<^>2 - 10<^>4 Гц в області температур 300 - 800 K досліджено температурно-частотні залежності комплексної діелектричної проникності кристалів Bi12SiO20:Cr, Bi12SiO20:Mn, переведених до ТЕС.