За допомогою методу диференціальної сканувальної калориметрії досліджено вплив домішок мезогенів і квазімезогенів різних класів (цианобіфенілу, холестерину і його естеру, фосфоліпіду, стеаринової кислоти) на термостабільність іонної мезофази в розплаві деканоату свинцю.

Уточнено значення констант рівноваги квазіхімічних реакцій утворення власних атомних дефектів у селеніді свинцю на базі апроксимації експериментальних результатів двотемпературного відпалу кристалів теоретичними моделями у припущенні існування двозарядних міжвузлових атомів та однозарядних вакансій у металевій підгратці. На підставі аналізу загальної умови електронейтральності знайдено залежності концентрації дефектів і носіїв струму від температури та парціального тиску селену під час реалізації двотемпературного відпалу.

Установлено, что наночастицы PbS значительно повышают скорость образования селенида свинца при взаимодействии Pb(NO3)2 и Na2SeSO3 в водных растворах полимеров. Показано, что продуктом реакции являются наночастицы PbS/PbSe со структурой ядро PbS - оболочка PbSe. Установлена корреляция между шириной запрещенной зоны наночастиц PbS и наноструктур PbS/PbSe, формирующихся в ходе реакции.

Уточнено значення констант рівноваги квазіхімічних реакцій утворення власних точкових дефектів у телуриді свинцю у припущенні існування однозарядних міжвузлових атомів свинцю та однозарядних і двозарядних вакансій у металевій підгратці. Константи розраховано теоретично та на підставі апроксимації експериментальних результатів визначення границь області гомогенності та двотемпературного відпалу кристалів з використанням теоретичних моделей. Показано, що розрахунки залежності концентрації носіїв струму та температури термодинамічного n - p-переходу у процесі відпалу кристалів PbТe у парі халькогену від температури відпалу та парціального тиску пари телуру, проведені на підставі уточнених значень констант, значно краще узгоджуються з експериментальними даними.

Розглянуто роботи з питань кристалохімічного аналізу домінуючих точкових дефектів у кристалах і плівках халькогенідів свинцю. Особливу увагу звернено на технологічні аспекти інженерії формування і взаємодії точкових дефектів, що визначають тип провідності і концентрацію носіїв заряду матеріалів.

Запропоновано кристалоквазіхімічні формули для механізмів заміщення Манганом Плюмбуму, вкорінення в тетраедричні порожнини щільної упаковки атомів Телуру, а також заміни Манганом Плюмбуму з його подальшим переходом у міжвузля основної матриці. На основі порівняння результатів розрахунків і експерименту зроблено висновок про домінуючі точкові дефекти.

Досліджено тип провідності сполук та зміну коефіцієнта термоерс від складу сполуки. Одержані результати свідчать про те, що зразки стехіометричного складу PbSe та PbS мають різний тип провідності. Під час дослідження зразків PbSe та PbS з відхиленням від стехіометрії спостерігається зміна коефіцієнта термоерс.

Вперше, використовуючи метод термодинамічних потенціалів та кристалохімічний формалізм, визначено константи рівноваги квазіхімічних реакцій дефектоутворення та величину диспропорціонування зарядових станів катіонних вакансій та міжвузлового плюмбуму в кристалах плюмбум телуриду за їх двотемпературного відпалу. Розраховано залежності концентрації домінуючих точкових дефектів та холлівської концентрації носіїв струму від технологічних факторів, встановлено умови реалізації термодинамічного n - p-переходу.

Індекс рубрикатора НБУВ: Г124.335 + Г522.1

Рубрики:

Кристалічні структури неорганічних сполук

Шифр НБУВ: Ж21854 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

Дослідження присвячено взаємодії монокристалів РbТе і твердих розчинів Pb_0,83Sn_0,17Te, Рb_0,8Sn_0,2Те (І) і Pb_0,8Sn_0,2Te (II) з бромвидільними травниками Н₂O₂ - НВг - розчинник, розробці й оптимізації травильних композицій та методик обробки для формування високоякісної поверхні. Вивчено характер розчинення досліджуваних матеріалів в травниках систем Н₂O₂ - НВr - етиленгліколь, Н₂O₂ - НВr - ацетатна, Н₂O₂ - НВr - лактатна, Н₂O₂ - НВг - оксалатна, Н₂O₂ - НВr - тартратна, Н₂O₂ - НВг - цитратна кислоти та побудовано 24 діаграми "склад травника - швидкість травлення" з визначенням меж областей полірувальних і неполірувальних розчинів. Досліджено залежності швидкостей травлення від температури та швидкості обертання диску та показано, що процес розчинення цих напівпровідників у полірувальних розчинах Н₂O₂ - НВг - розчинник лімітується дифузійними стадіями. Із аналізу температурних залежностей швидкостей розчинення підтверджено існування компенсаційного ефекту в кінетиці хімічного травлення РbТе і Pb_1-xSn_xTe в травильних композиціях Н₂O₂ - НВr - розчинник. Виявлено вплив природи розчинника та концентрації бромідної кислоти на швидкість хімічного розчинення, полірувальні властивості розчинів та якість полірованої поверхні РbТе та Pb_1-xSn_xTe. Показано, що зі зростанням вмісту стануму в складі твердого розчину Pb_1-xSn_xTe швидкість травлення не суттєво змінюється, а області полірувальних травників на діаграмах зменшуються. Мікроструктурним аналізом, растровою електронною мікроскопією та методом спектроскопії комбінаційного розсіювання світла встановлено вплив кількісного й якісного складу травників, а також способів хімічної обробки на параметри шорсткості поверхонь РbТе і твердих розчинів Pb_1-xSn_xTe. Оптимізовано склади полірувальних травильних композицій Н₂O₂ - НВr - розчинник і технологічні режими ХДП і ХМП для видалення порушеного шару, контрольованого потоншення пластин до заданих розмірів, зняття тонких плівок і фінішного полірування монокристалів РbТе та твердих розчинів Pb_1-xSn_xTe.