Досліджено процес формування макропор у кремнії за умов стаціонарного освітлення та постійної густини струму протягом електрохімічного процесу залежно від вихідної напруги на кремнієвому аноді <$Eroman U sub 0>. Установлено, що стабільне формування макропор починається у разі досягнення напруги <$Eroman {U sub c }>, яка відповідає критичній концентрації дірок <$Eroman {р sub c }> на межі кремній - електроліт. У разі <$Eroman {U sub 0 ~>>~U sub c }> процес формування макропор є нестійким.

There were investigated process of macropore formation in silicon at the stationary illumination and the constant current density during electrochemical process on the dependence of the initial bias on silicon anode U0. Stable macropore formation is beginning at bias Uc corresponding to the critical hole concentration рc at boundary "silicon-electrolyte". Process of the macropore formation is unstable at U0 > Uc

Розкрито особливості форми предметного світу, що формуються під впливом своєрідності регіональних технологічних прийомів обробки місцевих матеріалів.

Раскрыты особенности формы предметного мира, формирующихся под влиянием своеобразия региональных технологических приемов обработки местных материалов.

Article is devoted to disclosing of features of the form of the subject world, formed under influence of an originality of regional technological receptions of processing of local materials.

Досліджено процес формування макропор у кремнії в разі стаціонарного освітлення та постійної густини струму протягом електрохімічного процесу залежно від вихідної напруги на кремнійовому аноді <$E U sub 0>. Стійке формування макропор починається за умов досягнення напруги <$E U sub c>, яка відповідає критичній концентрації дірок <$E p sub c> на межі кремній - електроліт. У разі <$E U sub 0~>>~U sub c> процес формування макропор є нестійким.

С помощью методов рентгенодифрактометрического сканирования <$E theta "/" 2 theta> и качания (угол <$E 2 theta> фиксированный) получены зависимости ширины рефлексов двух порядков от <$E K sub beta>-излучения сориентированных по различным кристаллографическим плоскостям монокристаллов парателлурита. Для поверхностей монокристалла <$E roman TeO sub 2> показано, что метод качания более чувствителен к общему состоянию обработанной поверхности для всех видов обработки (раскалывания, разрезания, шлифования, полирования). Наблюдается тенденция совпадения ширины пиков разных порядков отражения, указывающая на высококачественно обработанную поверхность с минимальной шероховатостью.

Предложена математическая модель и методика исследования электромагнитных, тепловых и механических процессов в ферромагнитных телах, находящихся под воздействием внешнего электромагнитного поля. Модель учитывает связность электромагнитного и температурного полей, а также температурную зависимость всех физико-механических параметров материала.

В результате исследования оптических постоянных обрабатываемого материала in situ при полировании показано, что коэффициенты поглощения и отражения света возрастают при уменьшении разности фаз колебаний взаимно перпендикулярных компонент электрического вектора луча, который дважды прошел через толщу образца, отразившись от обрабатываемой поверхности. Получены экспериментально и аппроксимированы периодическими функциями зависимости оптических постоянных обрабатываемого материала от времени полирования. Установлено, что периодические изменения оптических постоянных обрабатываемого материала и состояния поверхности рабочего слоя инструмента связаны с образованием налета.

Досліджено та визначено параметри процесу шліфовки кремнієвих структур і причини виникнення структурних порушень поверхневого шару. Науково обгрунтовано основні елементи та концепцію застосування системи автоматичного керування станком САШ-420М, що забезпечує оптимальний режим шліфовки кремнієвих структур.

Для моделирования структуры алюмосиликатных материалов предложен фрагмент MeAlSi3O8, что с учетом взаимодействия материалов инструмента и обрабатываемого изделия в многочастотном режиме позволило распространить кластерную модель износа кремнеземсодержащих материалов на класс алюмосиликатных материалов. В результате проведенных исследований показано, что величины высотного параметра шероховатости Ra полированной поверхности и производительности полирования зависят от разности частот собственных колебаний фрагментов на поверхностях инструмента и обрабатываемого изделия.

Відомо, що процеси розпаду твердого розчину, як правило, є чутливими до наявності поля напруг у зразках. Перевірено можливість прискорення перебігу утворення та росту кисневмісних коагулянтів під час розпаду твердого розчину кисню у кремнії, вирощеному за методом Чохральського. Виявлено, що вже під час відпалу зразків за температури 600 <$E symbol Р>C протягом 5 - 10 хв в сильно порушених напружених їх ділянках можуть утворитися достатні за розмірами для рентгенівських спостережень киснемісткі коагулянти. За допомогою методів трикристальної Рентгенової дифрактометрії виконано їх дослідження; з використанням динамічної теорії розсіяння обчислено розміри та концентрації.

Досліджено вплив легуючих елементів на фазові і структурні перетворення в монокристалічному кремнії. Визначено, що фазові і структурні перетворення, що відбуваються в інтервалі температур 100 - 1 200 <$E symbol Р>C, суттєво впливають на формування кінцевої структури в легованому кремнії.

Предложен метод обеспечения выполнения условий теплового баланса в процессе решения задачи теплообмена между газовой фазой и дисперсным твердым материалом при учете пространственного распределения температуры внутри твердых частиц. В качестве примера рассмотрен процесс нагрева шихты в двухсекционном подогревателе с перекрестным движением твердой и газовой фазы.

Обнаружено существенное изменение скорости плазмохимического травления (ПХТ) кремния и ряда его соединений после предварительной обработки (ПО) их поверхности продуктами взаимодействия кислородсодержащей плазмы с полимерным или поверхностно-активным веществом. Показано, что степень изменения скорости ПХТ после ПО зависит от типа используемого при обработке вещества, а также травимого материала и от условий процесса ПХТ. Предложен механизм активирующего воздействия исследуемых ПО поверхности в процессе ПХТ: кремния, поликремния, нитрида кремния, диоксида кремния, силицидов молибдена и титана.

Проанализирована необходимость изучения смачивания материалов для дальнейшей разработки технологии получения композиционных материалов, описана методика определения смачивания методом нанесения капли жидкого металла на твердую поверхность плоской пластины, определены температуры смачивания меди, карбида кремния, корунда, алюмосиликата, графита алюминиевым сплавом АЛ25, установлены режимы получения композитов соответствующих систем.

За допомогою методів вторинної іонної мас-спектрометрії та просвічувальної електронної мікроскопії досліджено вплив гідростатичного тиску (ГТ) азоту за високотемпературних відпалів на синтез прихованих шарів Si3N4 в кремнії після іонної імплантації азоту. Показано, що дія ГТ за температури 1130 <$E symbol Р>C стимулює формування стехіометричного шару Si3N4 із різкими межами поділу фаз і високим рівнем кристалічної досконалості приповерхневих шарів кремнію. Утворення таких структур можна пов'язати з генерацією міжвузловинних дефектів та їх впливом на формування фази Si3N4 під дією ГТ.

С использованием современных средств измерений элементов состояния поверхностного слоя (шероховатости Rmax и глубины нарушенного слоя F) приведены результаты экспериментальных исследований деталей из сапфира после их финишной обработки. Установлены факторы, влияющие на указанные параметры в процессе обработки и соотношение между ними, позволяющие производить расчет пооперационных припусков на обработку детали и построение ее технологии, обеспечивающей наивысшие оптические требования.

Досліджено характер процесу хімічного травлення монокристалів InAs, InAs(Sn), InSb і GaAs у травильних композиціях систем HBr - HNO3 - розчинник. На підставі одержаних експериментальних даних і результатів мікроструктурного та профілографічного аналізів протравленої поверхні розроблено й оптимізовано склади травильних сумішей і технологічні режими для хіміко-динамічного полірування вказаних напівпровідникових матеріалів.

Вивчено вплив слабкого сталого магнітного поля на мікротвердість структури Si - SiO2 (кремній - оксид кремнію). Показано, що в зразках кремнію з різною товщиною окисного покриття магнітомеханічний ефект (ефект зміни мікротвердості, стимульований магнітним полем) має різну величину. Виявлено зв'язок між часом магнітної обробки досліджуваних зразків і часом релаксації магнітомеханічного ефекту. На підставі одержаних експериментальних результатів запропоновано гіпотетичні фізичні механізми, покладені в основу виявлених ефектів. Суть цих механізмів полягає у врахуванні суттєвої ролі кисню та адсорбційних процесів у зміні мікромеханічних характеристик структури кремній - оксид кремнію за магнітної дії.

Наведено розрахункові дані залежності траєкторії частки сировини для одержання пористого матеріалу від швидкості потоку теплоносія і місця введення часток в об'єм робочої камери вихрового апарату. Показано якісну адекватність моделей і наведено результати тестових розрахунків.

Проведены экспериментально-теоретические исследования силового взаимодействия стержней при сборке армирующих каркасов для углерод-углеродного композиционного материала. Полученные данные позволяют определить силовые параметры узлов подачи стержня и опрессовки установки автоматической сборки каркасов.