Уперше визначено оптимальні значення основних параметрів процесу шліфування (t - максимальної глибини шліфування та <$Eroman {d sub кр }> - глибини руйнування), що не призводить до структурних порушень поверхневого шару кремнієвих структур з діелектричною ізоляцією (КСДІ). Розроблено математичну модель процесу шліфування КСДІ. З'ясовано значення параметрів шліфувальних кругів, що забезпечують мінімальну глибину порушеного шару. Установлено оптимальні значення відношення <$Eroman {n sub ст "/"n sub кр }> у межах <$E1,79~ cdot ~ 10 sup -5 ~ symbol Ш ~4,7~ cdot ~10 sup -5> та глибини шліфування КСДІ за прохід, яка не перевищує 35 мкм. Розроблено метод визначення числа проходів шліфування з урахуванням виміряної товщини структури, необхідної глибини шліфування кожним кругом і накладених на сумарну глибину шліфування обмежень. Запропоновано процедуру визначення значень параметрів розташування КСДІ на вакуумному утримувачі та знайдено їх значення (<$Ephi sub { roman ср } ~=~15 symbol Р ,~ psi sub { roman ср } ~=~24 symbol Р,~ lambda ~=~9 symbol Р>), за яких досягаються оптимальні умови шліфування.