Рассмотрены основные тенденции мирового развития сверхъярких светоизлучающих диодов, в соответствии с которыми светоотдача источников света в 2012 г. на основе белых светодиодов в 100 раз превысит светоотдачу ламп накаливания. Значительное внимание уделено методам получения гетероструктур для светодиодов. Проанализированы параметры белых светодиодов, светодиодных модулей и источников света, изготовляемых ведущими светотехническими фирмами.

The basic world tendencies of development highlight LEDs were considered. In accordance with world tendencies efficiency of sources of light in 2012 on the basis of white light-emitting diodes in 100 times will exceed efficiency of incandescent lamps.Considerable attention was spared to the methods of obtaining heterostructures for light-emitting diodes. The parameters of white light-emitting diodes, light-emitting modules and sources of light, made by leading lighting engineering firms, were analysed thoroughly.

Приведен аналитический обзор состояния развития и применения светоизлучающих приборов (СП). Охарактеризованы перспективные материалы для создания быстродействующих электронных приборов и оптических устройств, которые способны работать в коротковолновой области спектра. Рассмотрены современные тенденции развития СП, история их создания, области применения. Описаны принципы действия разнообразных поляризационных приборов.

Досліджено над'яскраві світлодіоди з білим і кольоровим випромінюванням, освітлювальні та світлосигнальні пристрої на їх базі.

Наведено результати електрофізичних досліджень фосфідо-галієвих світлодіодів, опромінених швидкими нейтронами за різних температур. Виявлено глибокі рівні радіаційних дефектів (РД) (<$E E sub t1~=~1,13> eB, <$E E sub t2~=~1,17> eB). Досліджено стадію низькотемпературного відпалу РД за температур 50 - 120 <$E symbol Р>C. У процесі тривалого зберігання за температури T = 300 K опромінених і частково відпалених зразків спостережено поступове відновлювання свічення, зумовлене перебудовою радіаційних пошкоджень.

Досліджено природу деградації свічення GaP світлодіодів. Виявлено зростання тунельної складової ВАХ при опроміненні <$E gamma>-квантами та при тривалому пострадіаційному зберіганні. Встановлено, що особливу роль у деградації свічення відіграє міжрівневе тунелювання носіїв.

Описано деградаційно-релаксаційні процеси у світлодіодах GaP, зумовлені ультразвуковою обробкою. Виявлено ефект оборотності деградаційного процесу. В основі досліджуваного явища лежить формування нестабільних дислокаційних сіток. Метод ультразвукової обробки можна застосовувати з метою виявлення мікродефектів структури у напівпровідникових приладах.

Установлено, що для червоних світлодіодів є характерним різкий розподіл домішок у межах p - n переходу, у зелених - переважно лінійний. У досліджуваних структурах формується два механізми пробою: тунельний та лавинний. Опромінення швидкими нейтронами реактора (Есер = 2 МеВ) спричиняє зростання ймовірності тунельного пробою в зелених діодах, лавинного - у червоних.

Зазначено, що найбільш серйозні перспективи застосування в технології виготовлення елементів і пристроїв інтегральної оптики на кристалах ніобату та танталату літію мають методи дифузії металів, іонообмінного легування та комбіновані процеси, наприклад, TIPE. Удосконалювання перерахованих методів із метою підвищення їх відтворюваності й якості структур, що виготовляються, зв'язане з першочерговим дослідженням наступного: з'ясування стану та можливості підвищення якості порушеного шару пластин кристалів; розробка оперативних методів контролю й атестації порушеного шару; вивчення ефектів фазоутворювання в поверхневому шарі пластин у процесі легування; підвищення інтенсивності процесу легування титаном, пошуку можливостей збільшення максимальних збільшень показника заломлення світловодів; з'ясування механізму збільшення показника заломлення кристалів під час використання зазначених методів їх обробки.

За допомогою оптичних та електрофізичних методів досліджено дефекти структури вихідних та опромінених гамма-квантами зелених світлодіодів. Дослідження часових змін інтенсивності електролюмінесценції показали, що довготривалі релаксаційні процеси можуть бути зумовлені вихідними крупномасштабними дефектами структури - дислокаційними сітками, а саме дефектами темних ліній і дефектами темних плям, а опромінювання лише сприяє виявленню наявних у кристалі неоднорідностей. Виявлена за низьких температур (77 - 110 K) тонка структура вольт-амперних характеристик (ВАХ) в області негативного диференціального опору вказує на існування у збідненій області GaP p - n-переходу значної кількості глибоких рекомбінаційних центрів (ГРЦ). Характер струмових осциляцій визначається почерговим заповненням і звільненням цих рівнів. Опромінювання <$E gamma>-квантами <$E roman Co sup 60> призводить до розширення області ВАХ, де спостерігаються осциляції. Подібні зміни у ВАХ виникають також під дією ультразвуку. Така реакція діода зумовлена зростанням концентрації ГРЦ.

Вивчено динаміку поглинання та випромінювання триплетних емітерів Ir(ppy)3 і синглетних емітерів у PtOEP, пінопласті (ПС) і дихлоркарбазол-біфенілі (СВР). Тонкі плівки нанесено за допомогою методу центрифугування. Досліджено взаємодію господар (ПС, СВР) - гість (Ir(ppy)3, PtOEP). Поведінка люмінесценції у разі збудження гостя (частота збудження в області прозорості господаря) є аналогічною поведінці люмінесценції у випадку збудження господаря (частота збудження в області поглинання господаря). Спостережено ефективну передачу енергії господар - гість. Додатково вивчено передачу збудження від ПС до СВР і TPD (димерів трифеніламіну).

Рассмотрен один из методов повышения надежности изделий на основе светодиодов. Предложен метод классификации светодиодов по Uпр.

На основании результатов исследования светотехнических характеристик излучающих диодов предложена программа математического моделирования световых приборов на основе этих светодиодов.

Запропоновано методику та одержано аналітичні вирази світлового розподілу вузько- та широконаправлених світлодіодів. Приведено математичну модель світлового приладу із світлодіодними джерелами випромінювання, розташованими на різних геометричних поверхнях.

Індекс рубрикатора НБУВ: З294-5 + З852.27

Рубрики:

Електричне освітлення. Світлотехніка

Світлові діоди

Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Вперше показано, що відбувувається кореляція між змінами спектра електролюмінесценції (ЕЛ) і порогом виникнення акустичної емісії в епітаксійних світлодіодних <$E n sup + - n - p>-структурах GaP0,85As0,15/GaP. Показано, що густина прямого струму діода визначає інтенсивність дискретної акустичної емісії, зсув і перерозподіл інтенсивності в максимумах спектра ЕЛ, швидкість і значення деградації випромінювальної здатності.

Отмечено, что требования по качеству функциональных поверхностей, а также возможности эффективного управления их механической обработкой в значительной степени зависят от технических средств контроля и измерения.

Відзначено, що серед набірно-модульних відеоекранів з великим розміром зображення є найбільш перспективними вироби на основі світлодіодів. Складність загальної структури відеоінформаційної системи в основному залежить від функціональної схеми управління яскравістю світлодіодів для одержання певного числа градацій яскравості. Розглянуто відеоекрани для відтворення напівтонових кольорових зображень на однорідних зсувних та паралельних багатофункціональних регістрах.

Рассмотрен один из способов повышения надежности изделий на основе светодиодов.

Досліджено та доведено (на базі макетів і моделей схем оптоелектронних логічних елементів (ОЛЕ) квазімпульснопотенціального типу (КІПТ)) можливість зниження струмів дискретних оптопар виробництва СНД у <$E10~ symbol Ь ~40> разів завдяки використанню перемикання світлодіодів на початку лінійної вольтамперної характеристики (ВАХ), що дозволяє зменшити споживання та розширити їх технічне застосування. Розраховано та досліджено модель мікропотужної оптопари ДВЧ діапазону у вигляді світлодіоду з підвищеним коефіцієнтом корисної дії випромінювання та фотоприймача у складі p - i - n фотодіоду, який інтегровано в базу високочастотного n - p - n транзистора, що дозволяє підвищити їх частотні характеристики, розширити дані про конструкції та використати їх для цифрової інтегральної схеми (ІС) з оптичними зв'язками. Розроблено модель адаптивної мікропотужної оптоелектронної схеми логіки NАБО-НІ, що дає можливість одержати нові відомості про процеси її перемикання та досягнути їй параметрів вентилів відомих типів логіки.

  Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.27-01 + З844.15

Рубрики:

Світлові діоди

Інтегральні схеми

Шифр НБУВ: РА350402 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Вперше узагальнено рівняння Вінера - Хопфа на випадок, коли образ випадкового оптичного сигналу, що поступає на вхід лінійної системи, є скінченною множиною відлікових значень на виході системи. Встановлено зв'язок між розв'язками одержаного рівняння та основним співвідношенням теореми відліків. Запропоновано нову статистичну модель флуктуацій показника заломлення світловода в області поділу серцевини й оболонки, що істотно враховує гіпотезу про нормальну статистику рельєфу межі поділу діалектичних шарів. Показано, що розсіювання в світловоді з таким типом збурення забезпечує часткову деполяризацію світла.