Рассмотрены основные тенденции мирового развития сверхъярких светоизлучающих диодов, в соответствии с которыми светоотдача источников света в 2012 г. на основе белых светодиодов в 100 раз превысит светоотдачу ламп накаливания. Значительное внимание уделено методам получения гетероструктур для светодиодов. Проанализированы параметры белых светодиодов, светодиодных модулей и источников света, изготовляемых ведущими светотехническими фирмами.

The basic world tendencies of development highlight LEDs were considered. In accordance with world tendencies efficiency of sources of light in 2012 on the basis of white light-emitting diodes in 100 times will exceed efficiency of incandescent lamps.Considerable attention was spared to the methods of obtaining heterostructures for light-emitting diodes. The parameters of white light-emitting diodes, light-emitting modules and sources of light, made by leading lighting engineering firms, were analysed thoroughly.

Приведен аналитический обзор состояния развития и применения светоизлучающих приборов (СП). Охарактеризованы перспективные материалы для создания быстродействующих электронных приборов и оптических устройств, которые способны работать в коротковолновой области спектра. Рассмотрены современные тенденции развития СП, история их создания, области применения. Описаны принципы действия разнообразных поляризационных приборов.

Наведено результати електрофізичних досліджень фосфідо-галієвих світлодіодів, опромінених швидкими нейтронами за різних температур. Виявлено глибокі рівні радіаційних дефектів (РД) (<$E E sub t1~=~1,13> eB, <$E E sub t2~=~1,17> eB). Досліджено стадію низькотемпературного відпалу РД за температур 50 - 120 <$E symbol Р>C. У процесі тривалого зберігання за температури T = 300 K опромінених і частково відпалених зразків спостережено поступове відновлювання свічення, зумовлене перебудовою радіаційних пошкоджень.

Зазначено, що найбільш серйозні перспективи застосування в технології виготовлення елементів і пристроїв інтегральної оптики на кристалах ніобату та танталату літію мають методи дифузії металів, іонообмінного легування та комбіновані процеси, наприклад, TIPE. Удосконалювання перерахованих методів із метою підвищення їх відтворюваності й якості структур, що виготовляються, зв'язане з першочерговим дослідженням наступного: з'ясування стану та можливості підвищення якості порушеного шару пластин кристалів; розробка оперативних методів контролю й атестації порушеного шару; вивчення ефектів фазоутворювання в поверхневому шарі пластин у процесі легування; підвищення інтенсивності процесу легування титаном, пошуку можливостей збільшення максимальних збільшень показника заломлення світловодів; з'ясування механізму збільшення показника заломлення кристалів під час використання зазначених методів їх обробки.

За допомогою оптичних та електрофізичних методів досліджено дефекти структури вихідних та опромінених гамма-квантами зелених світлодіодів. Дослідження часових змін інтенсивності електролюмінесценції показали, що довготривалі релаксаційні процеси можуть бути зумовлені вихідними крупномасштабними дефектами структури - дислокаційними сітками, а саме дефектами темних ліній і дефектами темних плям, а опромінювання лише сприяє виявленню наявних у кристалі неоднорідностей. Виявлена за низьких температур (77 - 110 K) тонка структура вольт-амперних характеристик (ВАХ) в області негативного диференціального опору вказує на існування у збідненій області GaP p - n-переходу значної кількості глибоких рекомбінаційних центрів (ГРЦ). Характер струмових осциляцій визначається почерговим заповненням і звільненням цих рівнів. Опромінювання <$E gamma>-квантами <$E roman Co sup 60> призводить до розширення області ВАХ, де спостерігаються осциляції. Подібні зміни у ВАХ виникають також під дією ультразвуку. Така реакція діода зумовлена зростанням концентрації ГРЦ.

Вивчено динаміку поглинання та випромінювання триплетних емітерів Ir(ppy)3 і синглетних емітерів у PtOEP, пінопласті (ПС) і дихлоркарбазол-біфенілі (СВР). Тонкі плівки нанесено за допомогою методу центрифугування. Досліджено взаємодію господар (ПС, СВР) - гість (Ir(ppy)3, PtOEP). Поведінка люмінесценції у разі збудження гостя (частота збудження в області прозорості господаря) є аналогічною поведінці люмінесценції у випадку збудження господаря (частота збудження в області поглинання господаря). Спостережено ефективну передачу енергії господар - гість. Додатково вивчено передачу збудження від ПС до СВР і TPD (димерів трифеніламіну).

Запропоновано методику та одержано аналітичні вирази світлового розподілу вузько- та широконаправлених світлодіодів. Приведено математичну модель світлового приладу із світлодіодними джерелами випромінювання, розташованими на різних геометричних поверхнях.

Індекс рубрикатора НБУВ: З294-5 + З852.27

Рубрики:

Електричне освітлення. Світлотехніка

Світлові діоди

Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Отмечено, что требования по качеству функциональных поверхностей, а также возможности эффективного управления их механической обработкой в значительной степени зависят от технических средств контроля и измерения.

Відзначено, що серед набірно-модульних відеоекранів з великим розміром зображення є найбільш перспективними вироби на основі світлодіодів. Складність загальної структури відеоінформаційної системи в основному залежить від функціональної схеми управління яскравістю світлодіодів для одержання певного числа градацій яскравості. Розглянуто відеоекрани для відтворення напівтонових кольорових зображень на однорідних зсувних та паралельних багатофункціональних регістрах.

Рассмотрен один из способов повышения надежности изделий на основе светодиодов.

Вперше узагальнено рівняння Вінера - Хопфа на випадок, коли образ випадкового оптичного сигналу, що поступає на вхід лінійної системи, є скінченною множиною відлікових значень на виході системи. Встановлено зв'язок між розв'язками одержаного рівняння та основним співвідношенням теореми відліків. Запропоновано нову статистичну модель флуктуацій показника заломлення світловода в області поділу серцевини й оболонки, що істотно враховує гіпотезу про нормальну статистику рельєфу межі поділу діалектичних шарів. Показано, що розсіювання в світловоді з таким типом збурення забезпечує часткову деполяризацію світла.

Розглянуто принципи конструювання та розрахунку параметрів лінзових елементів для формування світіння сегментів світлодіодних семисегментних індикаторів. Вибрано параметри лінзових компонентів, що утворюють світловипромінювальну поверхню кінцевих розмірів, промодельовано розповсюдження світлових променів через них.

Досліджено електролюмінесцентні властивості плівок 2,6-ди-трет.-бутил-4-(2,5-дифеніл-3,4-дигідро-2Н-піразол-3-іл)-фенолу в структурі органічного світлодіода. Змодельовано положення енергій вищих заповнених і нижчих незаповнених молекулярних орбіталей HPhP, на підставі чого запропоновано та реалізовано світловипромінювальну структуру ITO/СuI/HPhP/Ca:Al. Наведено вольтамперну та вольтяскравісну характеристики розробленої структури.

Досліджено природу виникнення нестабільностей S- і N-типу на ВАХ вихідних та опромінених фосфідо-галієвих світлодіодів. Причиною виникнення ділянок від'ємного диференційного опору вважається термоемісія носіїв з мілких енергетичних рівнів, обумовлена локальним розігріванням області p - n-переходу. Нестабільності N-типу пояснюються процесом тунелювання вільних носіїв струму на рівні квантових ям.

Запропоновано простий у виготовленні та настроюванні блок живлення для малопотужних світлодіодних світильників із можливістю регулювання яскравості світлодіодів.

Розглянуто декілька конструкцій різних світлодіодів: на сапфірової підкладці та на карбіді кремнію. Виведено їх покращані характеристики. В результаті для першого кристала одержано розсіяну потужність 0,16 Вт, а для другого кристала - 1,12 Вт. Продемонстровано розрахунок теплового режиму за допомогою методу теплових опорів, який може використовуватися для оцінки надійності світлодіодів і поліпшення їх характеристик застосуванням спеціальних технологій відведення тепла від кристала за допомогою спеціальної технології монтажу та управління робочим струмом.

Дан обзор технических характеристик современных мощных светодиодов. Проведено сравнение с характеристиками галогенной лампы. В качестве примера использования светодиодов приведено описание функциональной схемы измерителя показателя ослабления света морской воды.

Встановлено причини та механізми виходу з ладу потужних світлодіодів на основі GaN в момент вмикання (під час подачі напруги включення) за рахунок плавлення тонкого струмопідвідного контакту на основі золота. Виявлено швидку деградацію потужних світлодіодів за підвищених постійних прямих струмів.

Представлены результаты исследований, связанных с построением светодиодных осветительных систем на основании модульного принципа. Проанализировано влияние условий теплоотвода на светотехнические характеристики светодиодного прибора.