В роботі досліджено оптичні та структурні властивості надтонких бінарних композитів Al/Cr. Встановлено, що зразки не мають далекого кристалічного порядку та їх оптичні властивості визначаються резонансом оптичної провідності як результатом збудження полем зовнішньої електромагнітної хвилі колективних коливань електронів у гранулах. Ці гранули мають сферичну чи еліпсоїдальну форму, в залежності від величини шорсткості поверхні підкладки. Виявлено також, що величина шорсткості поверхні підкладки не впливає на розміри гранул, визначаючи лише їх форму. Вивчення електронних характеристик алюмінію та хрому (плазмової частоти, концентрації вільних носіїв заряду, ефективної довжини вільного пробігу електронів, радіуса гранул) дозволило виявити особливості механізму провідності в гранулах згаданих металів.

Для прогнозування електрофізичних властивостей CdZnTe залежно від складу в ньому домішок і дефектів використано багаторівневу модель електричної компенсації напівпровідникових монокристалів з урахуванням довільної кількості дрібних, одно- дво- та тризарядових глибоких донорів та акцепторів, а також амфотерних домішок. Модель покладено до основи прикладної програми для розрахунку властивостей напівпровідникових матеріалів, визначених зовнішніми діями або умовами експлуатації. Одержано тривимірні залежності питомого опору й енергії глибокого донора для різного домішкового складу CdZnTe. Кількісно досліджено оптимальні діапазони концентрацій домішок для одержання напівізолювального CdZnTe. Наведено порівняльний аналіз модельних залежностей зміни питомого опору CdTe і CdZnTe для аналогічних домішкових складів, визначено переваги матеріалу телуриду кадмію з цинком.

Исследованы квантово-интерференционныe явления в проводимости SNS-систем, образующихся в сверхпроводниках I рода в промежуточном состоянии. Изучение распространено на SNS-систему промежуточного состояния индия в составе макроскопического гибридного образца с монокристаллом меди при конфигурации образца, соответствующей двусвязному "андреевскому интерферометру". В сверхчистых образцах Pb, Sn и In различной геометрии обнаружены и исследованы квантовые резистивные осцилляции в зависимости от температуры или критического магнитного поля в нормальных областях доменов промежуточного состояния. Показано, что природа обнаруженных осцилляций аналогична природе диссипативных осцилляций Ааронова-Бома для баллистических траекторий когерентных возбуждений вблизи NS-границы.

Masstransfer in Al, Cu, W and Fe under pressing with the help of high power ultrasonics and under cavitation treatment was investigated by the method of radioactive isotopes with removing of layers. It was shown that anomalous masstransfer takes place both after deformation with ultrasonics and after cavitation treatment. Coefficients of masstransfer were calculated for both methods of ultrasonic treatment, and comparison with the data for isothermal conditions without ultrasonic treatment was done.

Індекс рубрикатора НБУВ: К230.633.11

Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено результати експериментальних і теоретичних досліджень структурних і магнітних характеристик інтерметалідів RNiX₂ (R - рідкісноземельний метал, X = Si, Ge) і RMn_xGe₂. Більшість сполук RTX₂ мають орторомбічну структуру. Встановлено: якщо R = Nd, Pr, то сполуки RNiX₂ будуть феромагнетиками, а якщо R = Gd, Tb, Dy, Ho, Er, то сполуки RNiX₂ за низьких температур будуть антиферомагнетиками; якщо R = Nd, Gd, Tb, Dy і Ho, то сполуки RMn_xGe₂ будуть антиферомагнетиками за низьких температур, тоді як, за R = Sm і Er, вони будуть парамагнетиками до температури 4,2 К. Трактування результатів досліджень виконано з використанням теорії РККI та ефекту кристалічного поля.

Експериментально досліджено температурні залежності питомого електричного опору і магнітної сприйнятливості сплавів системи Nі₃Mn - Nі₃Ga. Визначено температури магнітного переходу Т_C феромагнетизм-парамагнетизм, температуру структурного переходу Т_K порядок - безпорядок і температурні коефіцієнти питомого електроопору та магнітної сприйнятливості.

У широкому температурному інтервалі (600 - 1800 К) проведено вимірювання електропровідності sigma(T) та термоерс S(T) потрійних розплавів CuTlTe₂, CuAsTe₂ і TlAsTe₂. Особливості поведінки sigma(T) свідчать про наявність переходу напівпровідник - метал. Виявлено, що температури металізації T^S < T^sigma, енергія активації E^sigma(0) не співпадає з E^S(0), а в околі переходу напівпровідник - метал справджується умова E^sigma(0) > E^S(0). Високотемпературний перехід напівпровідник - метал інтерпретовано в межах розвинутого механізму трансформації електронного спектра напівпровідників.

Measurements of the electrical response of granular Sn-Ge thin films below the superconducting transition temperature are reported. Addition of an external noise to the magnetic field applied to the sample is found to increase the sample voltage response to a small externally applied ac signal. The gain coefficient for this signal as well as the signal-to-noise ratio displays clear maxima at particular noise levels. We interpret these observations as a stochastic resonance in the percolative Josephson media that occurs close to the percolation threshold.

Наведено результати експериментальних досліджень температурної та концентраційної залежностей диференціальної термоерс сплавів системи нікель - молібден у межах концентрації молібдену 3 - 17 ат. % в температурному інтервалі 300 - 1100 К. Проаналізовано літературні джерела стосовно високотемпературної термоерс перехідних металів та їх сплавів для встановлення їх придатності як термоелектричного матеріалу для гілок термоелектричних генераторів струму.

Исследован монокристалл <$E roman {Ba sub 0,65 K sub 0,35 Pb sub 0,2 Bi sub 0,8 O sub 3}> (BKPBO), выращенный методом электрохимического осаждения. Кристалл является однофазным со структурой кубического перовскита. Изотермы полевых зависимостей намагниченности для <$E 0,1T sub c~symbol Г~T~symbol Г~0,72T sub c> хорошо описываются теорией коллективного пиннинга. Температурная зависимость длины коллективного пиннинга <$E L sub c (T)> согласуется с механизмом <$E lambda l>-пиннинга, обусловленного пространственными флуктуациями длины свободного пробега носителей заряда. Проведено сравнение магнитных свойств BKPBO с кристаллами системы ВКВО.

За результатами досліджень побудовано ізотермічні перерізи діаграм стану систем U - {Co, Ni, Cu} - In за температури 870 К у повному концентраційному інтервалі. У цих та споріднених системах U, Th - {Ni, Cu, Pd} - In, Sn виявлено існування семи нових тернарних сполук (для однієї відомої знайдено ще дві поліморфні модифікації), для восьми - за методами монокристалу та порошку встановлено кристалічну структуру, для однієї - частково. Дві сполуки є першими представниками нових структурних типів: <$Eroman {UCu sub 5 In(R)}> та <$Eroman {U sub 3 Ni sub 60 In sub 8 }>. Показано існування двох квазітернарних неперервних твердих розчинів <$Eroman UCo sub 4~-~x roman Ni sub x roman In> та <$Eroman U sub 1~-~x roman Ce sub x roman {Ni sub 4 In}>. Вивчено залежності магнітної сприйнятливості, питомого електроопору, питомої теплоємності та відносного видовження зразка від температури, намагніченості від напруженості магнітного поля для двох сполук.

Встановлено закономірності внутрішнього розмірного ефекту в електрофізичних властивостях металевих матеріалів (плівки товщиною до 400-600 нм і дроти) з Cu, Ni та Mo, які мають різний ступень дисперсності кристалітів у інтервалі проміжних температур. Розрахунок параметрів електропереносу проведено на основі лінеаризованої, ізотропної моделей Тельє-Тоссе-Пішара, моделі Ухлінова-Косаківської, та асимптотичних співвідношень теорії Майядаса-Шатцкеса. Для обробки даних експерименту у дротах використано формули Дінгла, Нордгейма та Ухлінова-Косаківської. Проведено порівняння та узагальнення одержаних результатів. Показано, що величина коефіцієнта розсіювання на межі зерна та СДВП визначаються ступенем дисперсності кристалітів.

Вивчено еволюцію смуги фотолюмінесценції у гетероструктурах GaAs/AIGaAs під дією акустичної накачки. Зазначено, що зміни інтегрованого у часі спектра фотолюмінесценції подібні змінам, спостереженим у ході нагріву зразка. Під час реєстрації спектра на частоті накачки виявлено лінію, обумовлену рекомбінацією електронно-діркової плазми з високою густиною електронів. Обговорено явище виникнення стимульованого випромінювання з проявом структури мод резонатора та червоним зсувом у разі збільшення амплітуди накачки.

Исследована существенно неколлинеарная магнитная структура, реализуемая в LaMnO3 во внешнем магнитном поле, и определена полевая зависимость частот собственных магнитных колебаний системы. Показано, что пренебрежение взаимодействием Дзялошинского, аргументируемое малостью соответствующей константы спинового гамильтониана по сравнению с анизотропией, приводит к некорректному описанию динамики системы.

Вивчено поведінку інтенсивностей сателітів у короткоперіодних надгратах (НГ) GaAs-AlAs/GaAs (001) залежно від величини статичного фактора (наявності дефектів) і рівня деформації шарів НГ, а також параметра кореляції Като як для структурних, так і квазізаборонених рефлексів. Виявлено високу чутливість інтенсивності сателітів НГ до дефектів структури в субшарах, а також показано деякі особливості застосування квазізаборонених рефлексів у цих структурах.

Проведено теоретическое исследование особенностей зонной структуры и орбитальной магнитной восприимчивости <$E chi> интерметаллических соединений CaPb3 и YbPb3. Показано, что экспериментально обнаруженный ранее в этих соединениях аномальный диамагнетизм с сильной температурной зависимостью имеет межзонное происхождение и связан с наличием вырожденных электронных состояний в непосредственной близости к уровню Ферми. С помощью согласования расчетной зависимости <$E chi (T)> с экспериментом в интервале температур <$E 5~roman K~symbol Г~T~symbol Г~300~roman K> определены характеристики вырожденных состояний для обоих соединений.

Досліджено полікристалічні ферити Сu - Zn, заміщені рідкісноземельними іонами. Для заміщених зразків (R = Nd, Sm і Gd) початкова магнетна проникність та однорідність збільшуються у порівнянні з незаміщеними, а намагнетування й енергетичні втрати для всіх заміщених зразків зменшуються. Питомий електроопір підвищується тільки для зразків з R = La та Nd. Розмір зерна у всіх заміщених зразках зростає у порівнянні з незаміщеними, за винятком тих, у яких R = La та Nd. Виявлено, що температура Кюрі майже стала та не залежить від виду заміщених рідкісноземельних іонів.

Наведено результати експериментальних досліджень електропровідності та термо-е.р.с. розтопів монотектичної системи Pb - Ga і евтектики Pb - Mg. Розглядається поведінка кореляційного радіуса флюктуацій концентрації у рідкому стані в широкому діапазоні температур і концентрацій. Встановлено, що величина кореляційного радіуса визначається наявністю областей різної термодинамічної стійкості розтопу, що обмежуються кривими бінодалі і спінодалі. Аналізується подібність процесів відділювання фаз в евтектичних та монотектичних системах.

Вперше методами високотемпературної ізопериболічної калориметрії визначено ентальпії змішування розплавів подвійної Al - Hf та потрійної Ni - Al - Ti (Zr, Hf) систем за умов <$E1~770~ symbol С ~5~ roman K> - <$E1~790~ symbol С ~5~ roman K>. Встановлено, що всі вивчені потрійні розплави характеризуються великими екзотермічними ефектами, які збільшуються в ряду Ni - Al - Ti <$Esymbol О> Ni - Al - Hf <$Esymbol О> Ni - Al - Zr. Змодельовано інтегральні ентальпії змішування розплавів систем Ni - Al - IVb-метал за рівняннями Тупа та Бон'є - Кабо з аналогічних даних для подвійних граничних систем. Доведено, що енергетика сплавоутворення в цих потрійних системах визначається взаємодією компонентів у граничних подвійних системах. З використанням критерію GFT (glas-forming tendency) та рівняння Зелінського - Матія оцінено схильність до аморфізації вивчених потрійних розплавів. Доведено наявність областей сплавів з підвищеною схильністю до утворення металевих стекол.